-
N-channel MOSFET-ի և P-channel MOSFET-ի միջև տարբերությունը: Օգնեք ձեզ ավելի լավ ընտրել MOSFET արտադրողներին:
Շղթաների դիզայներները պետք է հաշվի առած լինեն MOSFET-ներ ընտրելիս մի հարց. Արդյո՞ք նրանք պետք է ընտրեն P-channel MOSFET, թե N-channel MOSFET: Որպես արտադրող, դուք պետք է ցանկանաք, որ ձեր արտադրանքը մրցակցի այլ առևտրականների հետ ավելի ցածր գներով, և դուք...Կարդալ ավելին -
MOSFET-ի աշխատանքի սկզբունքի դիագրամի մանրամասն բացատրություն | FET-ի ներքին կառուցվածքի վերլուծություն
MOSFET-ը կիսահաղորդչային արդյունաբերության ամենահիմնական բաղադրիչներից մեկն է: Էլեկտրոնային սխեմաներում MOSFET-ը սովորաբար օգտագործվում է ուժային ուժեղացուցիչների կամ անջատիչ սնուցման սխեմաներում և լայնորեն կիրառվում է: Ստորև OLUKEY-ը ձեզ կտա ...Կարդալ ավելին -
Olukey-ն ձեզ համար բացատրում է MOSFET-ի պարամետրերը:
Որպես կիսահաղորդչային ոլորտում ամենահիմնական սարքերից մեկը՝ MOSFET-ը լայնորեն օգտագործվում է ինչպես IC նախագծման, այնպես էլ տախտակի մակարդակի սխեմայի կիրառություններում: Այսպիսով, որքա՞ն գիտեք MOSFET-ի տարբեր պարամետրերի մասին: Որպես միջին և ցածր մասնագետ...Կարդալ ավելին -
Olukey. Եկեք խոսենք MOSFET-ի դերի մասին արագ լիցքավորման հիմնական ճարտարապետության մեջ
Արագ լիցքավորվող QC-ի էլեկտրամատակարարման հիմնական կառուցվածքը օգտագործում է Flyback + երկրորդական կողմի (երկրորդային) համաժամանակյա ուղղում SSR: Թռիչք փոխարկիչների համար, ըստ հետադարձ նմուշառման մեթոդի, այն կարելի է բաժանել՝ առաջնային կողմի (պրիմա...Կարդալ ավելին -
Որքա՞ն գիտեք MOSFET-ի պարամետրերի մասին: OLUKEY-ը վերլուծում է այն ձեզ համար
«MOSFET»-ը Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor-ի հապավումն է։ Այն երեք նյութերից՝ մետաղից, օքսիդից (SiO2 կամ SiN) և կիսահաղորդչից պատրաստված սարք է։ MOSFET-ը կիսահաղորդչային ոլորտում ամենահիմնական սարքերից մեկն է: ...Կարդալ ավելին -
Ինչպե՞ս ընտրել MOSFET-ը:
Վերջերս, երբ շատ հաճախորդներ գալիս են Olukey MOSFET-ների մասին խորհրդակցելու, նրանք հարց կտան, թե ինչպես ընտրել հարմար MOSFET: Այս հարցի վերաբերյալ Օլուկեյը կպատասխանի բոլորին։ Առաջին հերթին պետք է հասկանալ արքայազն...Կարդալ ավելին -
N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի MOSFET-ի աշխատանքի սկզբունքը
(1) vGS-ի վերահսկման ազդեցությունը ID-ի և ալիքի վրա ① vGS=0 դեպքը Կարելի է տեսնել, որ կա երկու իրար հաջորդող PN միացումներ d-ի և ընդլայնման ռեժիմի MOSFET-ի աղբյուրի s-ի միջև: Երբ gate-source լարումը vGS=0, նույնիսկ եթե...Կարդալ ավելին -
MOSFET փաթեթավորման և պարամետրերի փոխհարաբերությունները, ինչպես ընտրել FET-ները համապատասխան փաթեթավորմամբ
①Plug-in փաթեթավորում՝ TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Մակերեւութային ամրացման տեսակը՝ TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Տարբեր փաթեթավորման ձևեր, MO-ի համապատասխան սահմանային հոսանքը, լարումը և ջերմային ցրման ազդեցությունը...Կարդալ ավելին -
Ի՞նչ են նշանակում փաթեթավորված MOSFET-ի G, S և D երեք կապանքները:
Սա փաթեթավորված MOSFET պիրոէլեկտրական ինֆրակարմիր սենսոր է: Ուղղանկյուն շրջանակը զգայական պատուհանն է: G քորոցը վերգետնյա տերմինալն է, D փինը՝ MOSFET-ի ներքին արտահոսքը, իսկ S-ը՝ ներքին MOSFET աղբյուրը: Շրջանակում, ...Կարդալ ավելին -
Էլեկտրաէներգիայի MOSFET-ի կարևորությունը մայր տախտակի մշակման և դիզայնի մեջ
Նախ, պրոցեսորի վարդակի դասավորությունը շատ կարևոր է: Պրոցեսորի օդափոխիչը տեղադրելու համար պետք է բավականաչափ տարածք լինի: Եթե այն շատ մոտ է մայր տախտակի եզրին, ապա դժվար կլինի տեղադրել պրոցեսորի ռադիատորը որոշ դեպքերում, երբ...Կարդալ ավելին -
Համառոտ խոսեք բարձր հզորության MOSFET ջերմության ցրման սարքի արտադրության մեթոդի մասին
Հատուկ պլան. բարձր հզորության MOSFET ջերմության ցրման սարք, ներառյալ խոռոչ կառուցվածքի պատյան և տպատախտակ: Շղթայի տախտակը դասավորված է պատյանում: Մի շարք կողք կողքի MOSFET-ներ միացված են շղթայի երկու ծայրերին...Կարդալ ավելին -
FET DFN2X2 փաթեթ մեկ P-ալիք 20V-40V մոդելի դասավորվածություն_WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET DFN2X2-6L փաթեթ, մեկ P-ալիք FET, լարման 20V-40V մոդելները ամփոփված են հետևյալ կերպ. ...Կարդալ ավելին
