WSD100N15DN56G N-ալիք 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Մասի համարը:WSD100N15DN56G

BVDSS:150 Վ

ID:100 Ա

RDSON:6mΩ

Ալիք:N-ալիք

Փաթեթ:DFN5X6-8

Ուղարկել հարցում PDF

Ապրանքի մանրամասն

WSD100N15DN56G MOSFET-ի լարումը 150V է, հոսանքը՝ 100A, դիմադրությունը՝ 6mΩ, ալիքը՝ N-ալիք, փաթեթը՝ DFN5X6-8։

Բժշկական սնուցման սարքեր MOSFET, PDs MOSFET, դրոններ MOSFET, էլեկտրոնային ծխախոտներ MOSFET, հիմնական սարքեր MOSFET և էլեկտրական գործիքներ MOSFET:

Խորհրդանիշ	Պարամետր	Վարկանիշ	Միավորներ
VDS	Ջրահեռացման աղբյուրի լարումը	150	V
VGS	Դարպաս-աղբյուր լարման	±20	V
ID	Շարունակական արտահոսքի հոսանք, Վ_GS@ 10V (T_C=25℃)	100	A
IDM	Իմպուլսային արտահոսքի հոսանք	360 թ	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy	400	mJ
P_D	Էլեկտրաէներգիայի ընդհանուր սպառում..._C=25℃)	160	W
RthJA	Ջերմակայունություն, հանգույց-միջավայր	62	℃/Վտ
RthJC	Ջերմային դիմադրություն, հանգույց-պատյան	0,78	℃/Վտ
ՏՍՏԳ	Պահպանման ջերմաստիճանի միջակայք	-55-ից 175	℃
T_J	Գործող հանգույցի ջերմաստիճանի միջակայք	-55-ից 175	℃

Խորհրդանիշ	Պարամետր	Պայմաններ	Min.	Տիպ.	Մաքս.	Միավոր
BV_DSS	Արտահոսքի աղբյուրի վթարային լարում	V_GS=0V, I_D= 250 uA	150	---	---	V
RDS (միացված)	Ստատիկ արտահոսքի աղբյուրի դիմադրություն²	V_GS=10V, I_D= 20 Ա	---	9	12	mΩ
VGS (րդ)	Դարպասի շեմային լարումը	V_GS=V_DS, Ի_D= 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Արտահոսքի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք	V_DS=100V, Վ_GS=0V, Տ_J=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Դարպասի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք	V_GS=±20V, Վ_DS=0 Վ	---	---	±100	nA
Q_g	Դարպասի ընդհանուր վճար	V_DS=50V, Վ_GS=10V, I_D= 20 Ա	---	66	---	nC
Q_gs	Gate-Source Charge		---	26	---
Q_gd	Gate-Drain Charge		---	18	---
Td(on)	Միացման հետաձգման ժամանակը	V_DD= 50 Վ,V_GS= 10 Վ R_G=2Ω, I_D= 20 Ա	---	37	---	ns
T_r	Բարձրացման ժամանակ		---	98	---
Td (անջատված)	Անջատման հետաձգման ժամանակը		---	55	---
T_f	Աշնանային ժամանակ		---	20	---
C_էսս	Մուտքային հզորություն	V_DS=30V, Վ_GS=0V, f=1MHz	---	5450 թ	---	pF
Կոսս	Ելքային հզորություն		---	1730 թ	---
C_rss	Հակադարձ փոխանցման հզորություն		---	195	---