WSD40200DN56G N-ալիք 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET արտադրանքի ակնարկ
WSD40120DN56G MOSFET-ի լարումը 40V է, հոսանքը՝ 120A, դիմադրությունը՝ 1.4mΩ, ալիքը՝ N-ալիք, փաթեթը՝ DFN5X6-8։
WINSOK MOSFET-ի կիրառման տարածքները
Էլեկտրոնային ծխախոտներ MOSFET, անլար լիցքավորման MOSFET, դրոններ MOSFET, բժշկական խնամք MOSFET, մեքենաների լիցքավորիչներ MOSFET, կարգավորիչներ MOSFET, թվային արտադրանք MOSFET, փոքր կենցաղային տեխնիկա MOSFET, սպառողական էլեկտրոնիկա MOSFET:
WINSOK MOSFET-ը համապատասխանում է այլ ապրանքանիշի նյութերի համարներին
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS կիսահաղորդչային MOSFET PDC496X.
MOSFET պարամետրեր
| Խորհրդանիշ | Պարամետր | Վարկանիշ | Միավորներ |
| VDS | Ջրահեռացման աղբյուրի լարումը | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Լարման | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Շարունակական արտահոսքի հոսանք, ՎGS@ 10 Վ1 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Շարունակական արտահոսքի հոսանք, ՎGS@ 10 Վ1 | 82 | A |
| IDM | Իմպուլսային արտահոսքի հոսանք2 | 400 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 400 | mJ |
| ՀՀՄՍ | Ավալանշ հոսանք | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Էլեկտրաէներգիայի ընդհանուր սպառում4 | 125 | W |
| ՏՍՏԳ | Պահպանման ջերմաստիճանի միջակայք | -55-ից 150 | ℃ |
| TJ | Գործող հանգույցի ջերմաստիճանի միջակայք | -55-ից 150 | ℃ |
| Խորհրդանիշ | Պարամետր | Պայմաններ | Min. | Տիպ. | Մաքս. | Միավոր |
| BVDSS | Արտահոսքի աղբյուրի խափանման լարումը | VGS=0V, ID= 250 uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSՋերմաստիճանի գործակից | Հղում 25-ին℃, ԻD= 1 մԱ | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS (միացված) | Ստատիկ արտահոսքի աղբյուրի դիմադրություն2 | VGS=10V, ID= 20 Ա | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
| RDS (միացված) | Ստատիկ արտահոսքի աղբյուրի դիմադրություն2 | VGS=4.5V, ԻD= 20 Ա | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| VGS (րդ) | Դարպասի շեմի լարումը | VGS=VDS, ԻD= 250 uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| △VGS (րդ) | VGS (րդ)Ջերմաստիճանի գործակից | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Արտահոսքի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք | VDS=32V, ՎGS=0V, ՏJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, ՎGS=0V, ՏJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Դարպասի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք | VGS=±20 Վ , ՎDS=0 Վ | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Առաջատար թափանցիկություն | VDS= 5V, ID= 20 Ա | --- | 53 | --- | S |
| Rg | Դարպասի դիմադրություն | VDS=0V, ՎGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Դարպասի ընդհանուր լիցքավորում (10 Վ) | VDS=15V, ՎGS=10V, ID= 20 Ա | --- | 45 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 12 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 18.5 | --- | ||
| Td(on) | Միացման հետաձգման ժամանակը | VDD=15V, ՎԳԵՆ=10V, ՌG=3.3Ω, ԻD=20A,RL=15Ω: | --- | 18.5 | --- | ns |
| Tr | Բարձրացման ժամանակ | --- | 9 | --- | ||
| Td (անջատված) | Անջատման հետաձգման ժամանակը | --- | 58.5 | --- | ||
| Tf | Աշնանային ժամանակ | --- | 32 | --- | ||
| Cէսս | Մուտքային հզորություն | VDS=20V, ՎGS=0V, f=1MHz | --- | 3972 թ | --- | pF |
| Կոսս | Ելքային հզորություն | --- | 1119 թ | --- | ||
| Crss | Հակադարձ փոխանցման հզորություն | --- | 82 | --- |
