WSD4080DN56 N-ալիք 40V 85A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET արտադրանքի ակնարկ
WSD4080DN56 MOSFET-ի լարումը 40V է, հոսանքը՝ 85A, դիմադրությունը՝ 4,5mΩ, ալիքը՝ N-ալիք, փաթեթը՝ DFN5X6-8։
WINSOK MOSFET-ի կիրառման տարածքները
Փոքր տեխնիկա MOSFET, ձեռքի սարքեր MOSFET, շարժիչներ MOSFET.
WINSOK MOSFET-ը համապատասխանում է այլ ապրանքանիշի նյութերի համարներին
AOS MOSFET AON623.STՄիկրոէլեկտրոնիկա MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS կիսահաղորդչային MOSFET PDC496X.
MOSFET պարամետրեր
| Խորհրդանիշ | Պարամետր | Վարկանիշ | Միավորներ |
| VDS | Ջրահեռացման աղբյուրի լարումը | 40 | V |
| VGS | Դարպաս-աղբյուր լարման | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Շարունակական արտահոսքի հոսանք, ՎGS @ 10 Վ1 | 85 | A |
| ID@TC=100℃ | Շարունակական արտահոսքի հոսանք, ՎGS @ 10 Վ1 | 58 | A |
| IDM | Իմպուլսային արտահոսքի հոսանք2 | 100 | A |
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 110.5 | mJ |
| ՀՀՄՍ | Ավալանշ հոսանք | 47 | A |
| PD@TC=25℃ | Էլեկտրաէներգիայի ընդհանուր սպառում4 | 52.1 | W |
| ՏՍՏԳ | Պահպանման ջերմաստիճանի միջակայք | -55-ից 150 | ℃ |
| TJ | Գործող հանգույցի ջերմաստիճանի միջակայք | -55-ից 150 | ℃ |
| RthJA | Ջերմակայունության հանգույց-միջավայր1 | 62 | ℃/Վտ |
| RthJC | Ջերմային դիմադրության հանգույց-պատյան1 | 2.4 | ℃/Վտ |
| Խորհրդանիշ | Պարամետր | Պայմաններ | Min. | Տիպ. | Մաքս. | Միավոր |
| BVDSS | Արտահոսքի աղբյուրի խափանման լարումը | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS (միացված) | Ստատիկ արտահոսքի աղբյուրի դիմադրություն2 | VGS=10V, ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=5A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS (րդ) | Դարպասի շեմի լարումը | VGS=VDS, ID =250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Արտահոսքի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Դարպասի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Առաջատար թափանցիկություն | VDS=10V, ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Դարպասի ընդհանուր լիցքավորում (4,5 Վ) | VDS=20V, VGS=4.5V, ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Քգս | Gate-Source Charge | --- | 5.8 | --- | ||
| Քգդ | Gate-Drain Charge | --- | 9.5 | --- | ||
| Td(on) | Միացման հետաձգման ժամանակը | VDD=15V , VGS=10V RG=3.3ΩID=1Ա | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Բարձրացման ժամանակ | --- | 8.8 | --- | ||
| Td (անջատված) | Անջատման հետաձգման ժամանակը | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Աշնանային ժամանակ | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Մուտքային հզորություն | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2354 թ | --- | pF |
| Կոսս | Ելքային հզորություն | --- | 215 | --- | ||
| Խաչ | Հակադարձ փոխանցման հզորություն | --- | 175 | --- | ||
| IS | Շարունակական աղբյուրի ընթացիկ1,5 | VG=VD=0V, ուժային հոսանք | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Դիոդի առաջ լարում2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
