WSD80130DN56 N-ալիք 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

կարճ նկարագրություն.

Մասի համարը:WSD80130DN56

BVDSS:80 Վ

ID:130 Ա

RDSON:2,7 mΩ

Ալիք:N-ալիք

Փաթեթ:DFN5X6-8

Նամակ ուղարկեք մեզ PDF

Ապրանքի մանրամասն

Դիմում

Ապրանքի պիտակներ

WINSOK MOSFET արտադրանքի ակնարկ

WSD80130DN56 MOSFET-ի լարումը 80Վ է, հոսանքը՝ 130Ա, դիմադրությունը՝ 2,7մΩ, ալիքը՝ N-ալիք, փաթեթը՝ DFN5X6-8։

WINSOK MOSFET-ի կիրառման տարածքները

Դրոններ MOSFET, շարժիչներ MOSFET, բժշկական MOSFET, էլեկտրական գործիքներ MOSFET, ESCs MOSFET:

WINSOK MOSFET-ը համապատասխանում է այլ ապրանքանիշի նյութերի համարներին

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STՄիկրոէլեկտրոնիկա MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

MOSFET պարամետրեր

Խորհրդանիշ	Պարամետր	Վարկանիշ	Միավորներ
VDS	Ջրահեռացման աղբյուրի լարումը	80	V
VGS	Gate-Source Լարման	±20	V
TJ	Միացման առավելագույն ջերմաստիճանը	150	°C
ID	Պահպանման ջերմաստիճանի միջակայք	-55-ից 150	°C
ID	Շարունակական արտահոսքի հոսանք, Վ_GS= 10 Վ, Տ_C=25°C	130	A
ID	Շարունակական արտահոսքի հոսանք, Վ_GS= 10 Վ, Տ_C=70°C	89	A
IDM	Իմպուլսային արտահոսքի հոսանք, T_C=25°C	400	A
P_D	Առավելագույն էներգիայի սպառում, Տ_C=25°C	200 թ	W
RqJC	Ջերմային դիմադրություն - Միացում դեպի պատյան	1.25	°C

Խորհրդանիշ	Պարամետր	Պայմաններ	Min.	Տիպ.	Մաքս.	Միավոր
BV_DSS	Արտահոսքի աղբյուրի խափանման լարումը	V_GS=0V, I_D= 250 uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BV_DSSՋերմաստիճանի գործակից	Հղում 25-ին℃, Ի_D= 1 մԱ	---	0,043	---	V/℃
RDS (միացված)	Ստատիկ արտահոսքի աղբյուրի դիմադրություն²	VGS=10V, I_D= 40 Ա	---	2.7	3.6	mΩ
VGS (րդ)	Դարպասի շեմի լարումը	V_GS=V_DS, Ի_D= 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
△V_{GS (րդ)}	V_{GS (րդ)}Ջերմաստիճանի գործակից	V_GS=V_DS, Ի_D= 250 uA	---	-6,94	---	mV/℃
IDSS	Արտահոսքի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք	V_DS=48V, Վ_GS=0V, Տ_J=25℃	---	---	2	uA
IDSS	Արտահոսքի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք	V_DS=48V, Վ_GS=0V, Տ_J=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Դարպասի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք	V_GS=±20 Վ , Վ_DS=0 Վ	---	---	±100	nA
Q_g	Դարպասի ընդհանուր լիցքավորում (10 Վ)	V_DS=30V, Վ_GS=10V, I_D= 30 Ա	---	48.6	---	nC
Q_gs	Gate-Source Charge		---	17.5	---
Q_gd	Gate-Drain Charge		---	10.4	---
Td(on)	Միացման հետաձգման ժամանակը	V_DD=30V, Վ_GS= 10 Վ, R_G=2,5Ω, Ի_D=2A,RL=15Ω.	---	20	---	ns
T_r	Բարձրացման ժամանակ		---	10	---
Td (անջատված)	Անջատման հետաձգման ժամանակը		---	35	---
T_f	Աշնանային ժամանակ		---	12	---
C_էսս	Մուտքային հզորություն	V_DS=25V, Վ_GS=0V, f=1MHz	---	4150 թ	---	pF
Կոսս	Ելքային հզորություն		---	471 թ	---
C_rss	Հակադարձ փոխանցման հզորություն		---	20	---