WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

ապրանքներ

WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

կարճ նկարագրություն.


  • Մոդելի համարը:WSP4099
  • BVDSS:-40 Վ
  • RDSON:30mΩ
  • ID:-6,5Ա
  • Ալիք՝Երկակի P-Channel
  • Փաթեթ:SOP-8
  • Ապրանքի ամփոփում.WSP4099 MOSFET-ն ունի -40V լարում, -6.5A հոսանք, 30mΩ դիմադրություն, Dual P-Channel և գալիս է SOP-8 փաթեթով:
  • Ծրագրեր:Էլեկտրոնային ծխախոտ, անլար լիցքավորում, շարժիչներ, դրոններ, բժշկական, ավտոլիցքավորիչներ, կարգավորիչներ, թվային ապրանքներ, փոքր տեխնիկա, սպառողական էլեկտրոնիկա:
  • Ապրանքի մանրամասն

    Դիմում

    Ապրանքի պիտակներ

    Ընդհանուր նկարագրություն

    WSP4099-ը հզոր խրամուղի P-ch MOSFET է` բջջային բարձր խտությամբ: Այն ապահովում է գերազանց RDSON և դարպասի լիցքավորում, ինչը հարմար է դարձնում այն ​​համաժամանակյա բաք փոխարկիչի հավելվածների համար: Այն համապատասխանում է RoHS-ի և GreenProduct ստանդարտներին և ունի 100% EAS երաշխիք՝ լիարժեք գործառույթի հուսալիության հաստատմամբ:

    Առանձնահատկություններ

    Խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիան՝ բջջային բարձր խտությամբ, ծայրահեղ ցածր դարպասի լիցքավորումը, գերազանց CdV/dt էֆեկտի քայքայումը և 100% EAS երաշխիքը մեր կանաչ սարքերի բոլոր հատկանիշներն են, որոնք հեշտությամբ հասանելի են:

    Դիմումներ

    Բարձր հաճախականության կետի սինխրոն փոխարկիչ MB/NB/UMPC/VGA-ի համար, ցանցային DC-DC էներգիայի համակարգ, բեռնման անջատիչ, էլեկտրոնային ծխախոտ, անլար լիցքավորում, շարժիչներ, դրոններ, բժշկական օգնություն, մեքենաների լիցքավորիչներ, կարգավորիչներ, թվային արտադրանք , փոքր կենցաղային տեխնիկա և սպառողական էլեկտրոնիկա։

    համապատասխան նյութի համարը

    FDS4685, VISHAY Si4447ADY, TOSHIBA TPC8227-H, PANJIT PJL9835A, Sinopower SM4405BSK, dintek DTM4807, ruichips RU40S4H ՎՐԱ:

    Կարևոր պարամետրեր

    Խորհրդանիշ Պարամետր Վարկանիշ Միավորներ
    VDS Ջրահեռացման աղբյուրի լարումը -40 V
    VGS Դարպաս-աղբյուր լարման ±20 V
    ID@TC=25℃ Շարունակական արտահոսքի հոսանք, -VGS @ -10V1 -6.5 A
    ID@TC=100℃ Շարունակական արտահոսքի հոսանք, -VGS @ -10V1 -4.5 A
    IDM Իմպուլսային արտահոսքի հոսանք 2 -22 A
    EAS Single Pulse Avalanche Energy3 25 mJ
    ՀՀՄՍ Ավալանշ հոսանք -10 A
    PD@TC=25℃ Էլեկտրաէներգիայի ընդհանուր սպառում4 2.0 W
    ՏՍՏԳ Պահպանման ջերմաստիճանի միջակայք -55-ից 150
    TJ Գործող հանգույցի ջերմաստիճանի միջակայք -55-ից 150
    Խորհրդանիշ Պարամետր Պայմաններ Min. Տիպ. Մաքս. Միավոր
    BVDSS Արտահոսքի աղբյուրի խափանման լարումը VGS=0V, ID=-250uA -40 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS ջերմաստիճանի գործակից Հղում 25℃, ID=-1mA --- -0,02 --- V/℃
    RDS (միացված) Ստատիկ արտահոսք-աղբյուր On-Resistance2 VGS=-10V, ID=-6.5A --- 30 38
    VGS=-4.5V, ID=-4.5A --- 46 62
    VGS (րդ) Դարպասի շեմի լարումը VGS=VDS, ID =-250uA -1,5 -2.0 -2.5 V
    △ VGS (րդ) VGS (րդ) ջերմաստիճանի գործակից --- 3.72 --- V/℃
    IDSS Արտահոսքի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Դարպասի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Առաջատար թափանցիկություն VDS=-5V, ID=-4A --- 8 --- S
    Qg Դարպասի ընդհանուր լիցքավորում (-4,5 Վ) VDS=-20V, VGS=-4.5V, ID=-6.5A --- 7.5 --- nC
    Քգս Gate-Source Charge --- 2.4 ---
    Քգդ Gate-Drain Charge --- 3.5 ---
    Td(on) Միացման հետաձգման ժամանակը VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω,

    ID=-1A,RL=20Ω

    --- 8.7 --- ns
    Tr Բարձրացման ժամանակ --- 7 ---
    Td (անջատված) Անջատման հետաձգման ժամանակը --- 31 ---
    Tf Աշնանային ժամանակ --- 17 ---
    Ciss Մուտքային հզորություն VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz --- 668 թ --- pF
    Կոսս Ելքային հզորություն --- 98 ---
    Խաչ Հակադարձ փոխանցման հզորություն --- 72 ---

  • Նախորդը:
  • Հաջորդը:

  • Գրեք ձեր հաղորդագրությունը այստեղ և ուղարկեք այն մեզ