WST2088A N-channel 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
Ընդհանուր նկարագրությունը
WST2088A-ն ամենաբարձր արդյունավետությամբ խրամատային N-ch MOSFET-ներն են՝ բջջային ծայրահեղ բարձր խտությամբ, որոնք ապահովում են հիանալի RDSON և դարպասի լիցքավորում փոքր էներգիայի միացման և բեռնափոխադրման անջատիչների մեծ մասի համար:WST2088A-ը համապատասխանում է RoHS-ի և Green Product-ի պահանջներին՝ հաստատված գործառույթի ամբողջական հուսալիությամբ:
Հատկություններ
Ընդլայնված բարձր բջջային խտության խրամուղի տեխնոլոգիա, Super Low Gate լիցքավորում, Գերազանց Cdv/dt էֆեկտի նվազում, Կանաչ սարքը հասանելի է
Դիմումներ
Էլեկտրաէներգիայի միացման ծրագիր, կոշտ անջատված և բարձր հաճախականության սխեմաներ, անխափան սնուցման աղբյուր, էլեկտրոնային ծխախոտ, կարգավորիչներ, թվային ապրանքներ, փոքր կենցաղային տեխնիկա, սպառողական էլեկտրոնիկա և այլն:
համապատասխան նյութի համարը
AO AO3416, NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN և այլն:
Կարևոր պարամետրեր
Էլեկտրական բնութագրեր (TJ=25 ℃, եթե այլ բան նշված չէ)
| Խորհրդանիշ | Պարամետր | Վարկանիշ | Միավորներ |
| VDS | Ջրահեռացման աղբյուրի լարումը | 20 | V |
| VGS | Դարպաս-աղբյուր լարման | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Շարունակական արտահոսքի հոսանք, VGS @ 4.5V | 7.5 | A |
| ID@Tc=70℃ | Շարունակական արտահոսքի հոսանք, VGS @ 4.5V | 4.5 | A |
| ՆՏԱ | Իմպուլսային արտահոսքի հոսանք | 24 | A |
| PD@TA=25℃ | Էլեկտրաէներգիայի ընդհանուր սպառում | 1.25 | W |
| ՏՍՏԳ | Պահպանման ջերմաստիճանի միջակայք | -55-ից 150 | ℃ |
| TJ | Գործող հանգույցի ջերմաստիճանի միջակայք | -55-ից 150 | ℃ |
| Խորհրդանիշ | Պարամետր | Պայմաններ | Min. | Տիպ. | Մաքս. | Միավոր |
| BVDSS | Արտահոսքի աղբյուրի վթարային լարում | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS ջերմաստիճանի գործակից | Հղում 25℃, ID=1mA | --- | 0.018 | --- | V/℃ |
| RDS (միացված) | Ստատիկ արտահոսք-աղբյուր On-Resistance2 | VGS=4.5V, ID=6A | --- | 10.7 | 14 | mΩ |
| VGS=2.5V, ID=5A | --- | 12.8 | 17 | |||
| VGS (րդ) | Դարպասի շեմի լարումը | VGS=VDS, ID =250uA | 0.4 | 0,63 | 1.2 | V |
| IDSS | Արտահոսքի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք | VDS=16V, VGS=0V: | --- | --- | 10 | uA |
| IGSS | Դարպասի աղբյուրի արտահոսքի հոսանք | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Դարպասի ընդհանուր վճար | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A | --- | 10 | --- | nC |
| Քգս | Gate-Source Charge | --- | 1.6 | --- | ||
| Քգդ | Gate-Drain Charge | --- | 3.4 | --- | ||
| Td(on) | Միացման հետաձգման ժամանակը | VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Բարձրացման ժամանակ | --- | 15 | --- | ||
| Td (անջատված) | Անջատման հետաձգման ժամանակը | --- | 33 | --- | ||
| Tf | Աշնանային ժամանակ | --- | 13 | --- | ||
| Ciss | Մուտքային հզորություն | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 590 թ | --- | pF |
| Կոսս | Ելքային հզորություն | --- | 125 | --- | ||
| Խաչ | Հակադարձ փոխանցման հզորություն | --- | 90 | --- |
