-
CMS8H1213 MCU Cmsemicon® փաթեթ SSOP24 խմբաքանակ 24+
Cmsemicon® MCU մոդելը CMS8H1213-ը բարձր ճշգրտության չափման SoC է, որը հիմնված է RISC միջուկի վրա, որը հիմնականում օգտագործվում է բարձր ճշգրտության չափման ոլորտներում, ինչպիսիք են մարդկային կշեռքները, խոհանոցային կշեռքները և օդային պոմպերը: Հետևյալը կներկայացնի մանրամասն պարամետրերը ...Կարդալ ավելին -
Օրիգինալ տեղում CMS79F726 փաթեթ SOP20 սենսորային կոճակ 8-փին միկրոկոնտրոլերի չիպ
Cmsemicon® MCU մոդելի CMS79F726-ի մանրամասն պարամետրերը ներառում են, որ այն 8-բիթանոց միկրոկոնտրոլեր է, իսկ աշխատանքային լարման միջակայքը 1,8 Վ-ից 5,5 Վ է: Այս միկրոկոնտրոլերն ունի 8Kx16 FLASH և 256x8 RAM, ինչպես նաև հագեցած է 128x8 Pro EE...Կարդալ ավելին -
PCM3360Q Բարձր արդյունավետության էլեկտրոնային բաղադրիչներ Cmsemicon® QFN32 փաթեթ
Zhongwei մոդելը PCM3360Q բարձր արդյունավետությամբ աուդիո անալոգային թվային փոխարկիչ է (ADC), որը հիմնականում օգտագործվում է ավտոմեքենաների աուդիո համակարգերում: Այն ունի 6 ADC ալիք, կարող է մշակել անալոգային մուտքային ազդանշաններ և աջակցում է դիֆերենցիալ մուտքեր մինչև 10VRMS: Բացի այդ, չիպը ինտեգրում է ծրագրային...Կարդալ ավելին -
Բարձրացման և սպառման MOSFET-ների վերլուծություն
D-FET-ը գտնվում է 0 դարպասի կողմնակալության մեջ, երբ ալիքի առկայությունը կարող է իրականացնել FET; E-FET-ը գտնվում է 0 դարպասի կողմնակալության մեջ, երբ ալիք չկա, չի կարող իրականացնել FET: Այս երկու տեսակի FET-ներն ունեն իրենց առանձնահատկությունները և օգտագործումը: Ընդհանուր առմամբ, ուժեղացված FET բարձր արագությամբ, ցածր հզորությամբ...Կարդալ ավելին -
MOSFET փաթեթի ընտրության ուղեցույցներ
Երկրորդ, համակարգի սահմանափակումների չափը Որոշ էլեկտրոնային համակարգեր սահմանափակվում են PCB-ի չափսերով և ներքին բարձրությամբ, ինչպիսիք են կապի համակարգերը, մոդուլային էներգիայի մատակարարումը բարձրության սահմանափակումների պատճառով սովորաբար օգտագործում են DFN5 * 6, DFN3 * 3 փաթեթ; որոշ ACDC էլեկտրամատակարարման մեջ,...Կարդալ ավելին -
Բարձր հզորության MOSFET շարժիչ շղթայի արտադրության մեթոդ
Գոյություն ունի երկու հիմնական լուծում. Մեկը MOSFET-ը վարելու համար հատուկ վարորդի չիպ օգտագործելն է, կամ արագ ֆոտոկցիչների օգտագործումը, տրանզիստորները մի շղթա են կազմում MOSFET-ը վարելու համար, սակայն առաջին տիպի մոտեցումը պահանջում է անկախ էներգիայի մատակարարում; մյուսը...Կարդալ ավելին -
MOSFET ջերմության առաջացման կարևոր պատճառների վերլուծություն
N տիպ, P տիպի MOSFET-ի աշխատանքի սկզբունքը էության նույնն է, MOSFET-ը հիմնականում ավելացվում է դարպասի լարման մուտքային կողմին՝ ջրահեռացման հոսանքի ելքային կողմը հաջողությամբ կառավարելու համար, MOSFET-ը լարման կառավարվող սարք է՝ ավելացված լարման միջոցով։ դեպի դարպաս դեպի...Կարդալ ավելին -
Ինչպես որոշել, որ բարձր հզորության MOSFET-ը այրվել է այրման միջոցով
(1) MOSFET-ը լարման մանիպուլյացիայի տարր է, մինչդեռ տրանզիստորը հոսանքի մանիպուլյացիայի տարր է: Վարելու հնարավորությունը հասանելի չէ, շարժիչի հոսանքը շատ փոքր է, պետք է ընտրել MOSFET; իսկ ազդանշանի մեջ լարումը ցածր է, և խոստացել է ավելի շատ հոսանք վերցնել...Կարդալ ավելին -
EV վահանակները հակված են փչանալու, գուցե դա ինչ-որ կապ ունի օգտագործվող MOSFET-ների որակի հետ։
Այս փուլում շուկան վաղուց ավելի ու ավելի շատ էլեկտրական մեքենաներ է, ճանաչվել են դրա շրջակա միջավայրի պաշտպանության առանձնահատկությունները, և կա դիզելային վառելիքի շարժունակության գործիքների զարգացման միտումը փոխարինող, էլեկտրական մեքենաները նույնպես նման են շարժական այլ գործիքների, ինստր...Կարդալ ավելին -
Ինչպես կանխել MOSFET-ի ձախողումը
Այս փուլում արդյունաբերության կիրառման մակարդակում առաջին տեղն է զբաղեցրել սպառողական էլեկտրոնիկայի սարքերի ադապտերների ապրանքները: Եվ ըստ MOSFET գրպանի հիմնական օգտագործման, MOSFET-ի պահանջարկը երկրորդ տեղում է համակարգչի մայր սալիկի, NB-ի, համակարգչային պրոֆեսիոնալ հոսանքի ադապտերների, LCD դիսփլ...Կարդալ ավելին -
Լիթիումի մարտկոցի լիցքավորումը հեշտ է վնասել, ձեզ օգնում է WINSOK MOSFET-ը:
Լիթիումը, որպես էկոլոգիապես մաքուր մարտկոցների նոր տեսակ, վաղուց աստիճանաբար օգտագործվում է մարտկոցներով մեքենաներում: Անհայտ է, քանի որ լիթիումի երկաթի ֆոսֆատ վերալիցքավորվող մարտկոցների բնութագրերը պետք է օգտագործվեն մարտկոցների լիցքավորման գործընթացում, որպեսզի սպասարկումն իրականացվի մինչև...Կարդալ ավելին -
MOSFET դարպասի աղբյուրի պաշտպանություն
MOSFET-ն ինքնին շատ առավելություններ ունի, բայց միևնույն ժամանակ MOSFET-ն ունի ավելի զգայուն կարճաժամկետ ծանրաբեռնվածության հզորություն, հատկապես բարձր հաճախականության կիրառման սցենարներում, ուստի էներգիայի օգտագործման դեպքում MOSFET-ները պետք է մշակվեն իր արդյունավետ պաշտպանական սխեմայի համար, որպեսզի ուժեղացվի դանակահարությունը: ..Կարդալ ավելին
