Հիմնական MOSFET նույնականացում և փորձարկում

1. Junction MOSFET փին նույնականացում

-ի դարպասըՄՈՍՖԵՏ տրանզիստորի հիմքն է, իսկ արտահոսքն ու աղբյուրը կոլեկտորն ու արտանետողն ենհամապատասխան տրանզիստոր. Մուլտիմետր մինչև R × 1k հանդերձում, երկու գրիչներով՝ երկու պտուտակների միջև առաջ և հետադարձ դիմադրությունը չափելու համար: Երբ երկու փին առաջադիմություն = հակադարձ դիմադրություն = KΩ, այսինքն, S աղբյուրի և արտահոսքի D երկու կապանքները, մնացորդը G դարպասն է: Եթե այն 4 փին է:հանգույց MOSFET, մյուս բևեռը հիմնավորված վահանի օգտագործումն է։

Հիմնական MOSFET նույնականացում և փորձարկում 拷贝

2.Որոշեք դարպասը　

Մուլտիմետրի սև գրիչով MOSFET-ին դիպչելու համար պատահական էլեկտրոդ է, կարմիր գրիչը՝ մյուս երկու էլեկտրոդներին: Եթե երկու չափված դիմադրությունը փոքր է, ինչը ցույց է տալիս, որ երկուսն էլ դրական դիմադրություն են, խողովակը պատկանում է N-ալիքի MOSFET-ին, նույն սև գրիչի կոնտակտը նաև դարպասն է:

Արտադրության գործընթացում որոշվել է, որ MOSFET-ի արտահոսքը և աղբյուրը սիմետրիկ են և կարող են փոխանակվել միմյանց հետ և չի ազդի շղթայի օգտագործման վրա, միացումն այս պահին նույնպես նորմալ է, ուստի գնալու կարիք չկա: չափից դուրս տարբերակման. Արտահոսքի և աղբյուրի միջև դիմադրությունը մոտ մի քանի հազար ohms է: Հնարավոր չէ օգտագործել այս մեթոդը մեկուսացված դարպասի MOSFET տիպի դարպասը որոշելու համար: Քանի որ այս MOSFET-ի մուտքի դիմադրությունը չափազանց բարձր է, և միջբևեռային հզորությունը դարպասի և աղբյուրի միջև շատ փոքր է, լիցքի փոքր քանակի չափումը կարող է ձևավորվել միջբևեռի վերևում: Չափազանց բարձր լարման հզորությամբ, MOSFET-ը շատ հեշտ կլինի վնասել:

Հիմնական MOSFET նույնականացում և փորձարկում (1)

3. MOSFET-ների ուժեղացման հնարավորությունների գնահատում

Երբ մուլտիմետրը դրված է R × 100, օգտագործեք կարմիր գրիչը S աղբյուրը միացնելու համար, իսկ սև գրիչը միացրեք արտահոսքի D-ը, ինչը նման է MOSFET-ին 1,5 Վ լարման ավելացմանը: Այս պահին ասեղը ցույց է տալիս դիմադրության արժեքը DS բևեռի միջև: Այս պահին մատով սեղմելու դարպասը G-ը, մարմնի առաջացած լարումը որպես մուտքային ազդանշան դեպի դարպաս: MOSFET-ի ուժեղացման դերի պատճառով ID-ն և UDS-ը կփոխվեն, ինչը նշանակում է, որ DS բևեռի միջև դիմադրությունը փոխվել է, մենք կարող ենք նկատել, որ ասեղն ունի ճոճման մեծ ամպլիտուդ: Եթե ձեռքը սեղմում է դարպասը, ասեղի ճոճանակը շատ փոքր է, այսինքն՝ MOSFET-ի ուժեղացման ունակությունը համեմատաբար թույլ է. եթե ասեղը չի ունենում ամենափոքր ազդեցությունը, ինչը ցույց է տալիս, որ MOSFET-ը վնասվել է: