Գաղափարներ լուծելու MOSFET-ների լուրջ ջերմության առաջացումը

Չգիտեմ, արդյոք դուք խնդիր եք գտել, MOSFET-ը գործում է որպես անջատիչ էլեկտրամատակարարման սարքավորում շահագործման ժամանակ երբեմն լուրջ ջերմության ժամանակ, ցանկանում եք լուծել ջեռուցման խնդիրը:ՄՈՍՖԵՏ, նախ պետք է պարզել, թե ինչն է առաջացնում, ուստի պետք է փորձարկել, որպեսզի պարզենք, թե որտեղ է խնդիրը։ -ի հայտնաբերման միջոցովMOS ջեռուցում խնդիրը, գնացեք ընտրեք ճիշտ առանցքային կետի թեստը, համահունչ չէ վերլուծությանը, որը խնդրի լուծման բանալին է:

Էներգամատակարարման թեստում, ի լրումն չափման հսկիչ միացում այլ սարքերի փին լարման որպես ծանր, որին հաջորդում է oscilloscope չափելու համապատասխան լարման ալիքի ձեւը. Երբ մենք գնում ենք պարզելու, թե արդյոք անջատիչ սնուցման աղբյուրը ճիշտ չի աշխատում, որտեղ չափել էներգամատակարարումը կարող է արտացոլել, որ աշխատանքային վիճակը նորմալ չէ, PWM կարգավորիչի ելքը նորմալ չէ, իմպուլսի աշխատանքային ցիկլը և ամպլիտուդը նորմալ չեն, MOSFET-ի միացումը՝ ճիշտ չի աշխատում, ներառյալ տրանսֆորմատորի երկրորդական և առաջնային կողմը, և հետադարձ կապի արդյունքը ողջամիտ չէ:

Անկախ նրանից, թե փորձարկման կետը ողջամիտ ընտրություն է, շատ կարևոր է, ճիշտ ընտրությունը կարող է լինել անվտանգ և հուսալի չափումներ, բայց նաև թույլ է տալիս արագ լուծել անսարքությունները՝ պարզելու պատճառը:

Ընդհանուր առմամբ, MOSFET-ի տաքացումը հետևյալն է.

1. G-pole drive լարումը բավարար չէ:

2. Id հոսանքը արտահոսքի և աղբյուրի միջով չափազանց բարձր է:

3. Վարելու հաճախականությունը չափազանց բարձր է:

Այսպիսով, թեստի կենտրոնացումը MOSFET-ում, ճշգրիտ փորձարկում է նրա աշխատանքը, որը խնդրի արմատն է:

Հարկ է նշել, որ երբ մենք պետք է օգտագործենք օսցիլոսկոպի թեստը, պետք է հատուկ ուշադրություն դարձնենք մուտքային լարման աստիճանական բարձրացմանը, եթե հայտնաբերենք, որ գագաթնակետային լարումը կամ հոսանքը դուրս է մեր նախագծային տիրույթից, այս անգամ պետք է ուշադրություն դարձնենք. MOSFET-ի ջեռուցումը, եթե առկա է անոմալիա, դուք պետք է անմիջապես անջատեք էլեկտրամատակարարումը, շտկելով, թե որտեղ է խնդիրը, որպեսզի MOSFET-ը չվնասվի: