Լիթիումը, որպես էկոլոգիապես մաքուր մարտկոցների նոր տեսակ, վաղուց աստիճանաբար օգտագործվում է մարտկոցներով մեքենաներում: Անհայտ է, քանի որ լիթիումի երկաթի ֆոսֆատ վերալիցքավորվող մարտկոցների բնութագրերը պետք է օգտագործվեն մարտկոցի լիցքավորման գործընթացում՝ սպասարկում իրականացնելու համար՝ կանխելու էներգիայի գերլիցքավորման կորուստը կամ գերջերմաստիճանը՝ ապահովելու համար, որ վերալիցքավորվող մարտկոցի անվտանգությունն աշխատի: Այնուամենայնիվ, գերհոսանքից պաշտպանությունը լիցքավորման և լիցքաթափման ողջ գործընթացի բևեռացումն է ծայրահեղ աշխատանքային ստանդարտների, ուստի ինչպե՞ս ընտրել հզորության MOSFET մոդելի բնութագրերը և նախագծման ծրագրերը, որոնք հարմար են շարժիչի միացման համար:
Հատուկ աշխատանք, որը հիմնված է տարբեր ծրագրերի վրա, կկիրառի մի քանի հզոր MOSFET-ներ, որոնք աշխատում են զուգահեռաբար՝ նվազեցնելու միացված դիմադրությունը և բարելավելու ջերմային հաղորդունակության բնութագրերը: Ամբողջ նորմալ գործարկումը, մանիպուլյացիայի ենթարկեք տվյալների ազդանշանը՝ միացված MOSFET-ը, լիթիումի մարտկոցների փաթեթի տերմինալները P և P- ելքային լարումը գործառնական ծրագրերի համար: Այս պահին հոսանքի MOSFET-ը եղել է հաղորդման իրավիճակում, հոսանքի կորուստը միայն հաղորդման կորուստ է, էլեկտրաէներգիայի անջատման կորուստ չկա, հոսանքի MOSFET-ի ընդհանուր հզորության կորուստը մեծ չէ, ջերմաստիճանի բարձրացումը փոքր է, ուստի հոսանքի MOSFET-ը կարող է. անվտանգ աշխատել.
Սակայն, երբ լոd-ն առաջացնում է կարճ միացման անսարքություն, կարճ միացման հզորությունը հանկարծակի մեծանում է մի քանի տասնյակ ամպերից նորմալ աշխատանքի համար մինչև մի քանի հարյուր ամպեր, քանի որ միացման դիմադրությունը մեծ չէ, և վերալիցքավորվող մարտկոցն ունի հզոր լիցքավորման հզորություն, և հզորությունըMOSFET-ներ նման դեպքում շատ հեշտ է ոչնչացվել։ Հետևաբար, եթե հնարավոր է, ընտրեք MOSFET փոքր RDS-ով (ON), որպեսզի ավելի քիչ լինիMOSFET-ներ կարելի է զուգահեռաբար օգտագործել։ Մի քանի MOSFET-ներ զուգահեռաբար ենթակա են ընթացիկ անհավասարակշռության: Զուգահեռ MOSFET-ների համար պահանջվում են առանձին և միանման հրումային ռեզիստորներ՝ MOSFET-ների միջև տատանումներից խուսափելու համար:
-
MOSFET-ի հիմնական ըմբռնումը
-
Տարբերությունները IGBT-ի և MOSFET-ի միջև
-
Որո՞նք են MOSFET-ի չորս շրջանները:
-
Արդյո՞ք MOSFET-ը ամբողջությամբ կամ կիսով չափ կառավարվում է:
-
Power MOSFET. Moder-ի բազմակողմանի հզորությունը...
-
Ինչու են MOSFET-ների լարումը վերահսկվում:
-
MOSFET-ի ընտրություն | N-Channel MOSFET Constructio...
-
MOSFET դասակարգման բնութագրերը
-
Էլեկտրոնային բաղադրիչների տվյալների վերջնական ուղեցույց...
-
Մեծ փաթեթ MOSFET դիզայնի իմացություն
-
Որո՞նք են տարբերությունները MOSFET-ների և Tr...
-
Ինչպես կանխել MOSFET-ի ձախողումը
-
Էլեկտրաէներգիայի MOSFET-ի կարևորությունը մայր տախտակի վրա...
-
MOSFET-ի ընտրության կետերը
-
MOSFET-ի գործառնական բնութագրերը
-
Համապարփակ ուղեցույց. Ինչպես ավելացնել և մոդելավորել ...
