MOSFET-ի ընտրություն | N-Channel MOSFET-ի շինարարության սկզբունքները

Բյուրեղային տրանզիստորի մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ կառուցվածքը, որը սովորաբար հայտնի է որպեսՄՈՍՖԵՏ, որտեղ MOSFET-ները բաժանվում են P-տիպի MOSFET-երի և N-տիպի MOSFET-երի: MOSFET-ից կազմված ինտեգրալ սխեմաները կոչվում են նաև MOSFET ինտեգրալային սխեմաներ, իսկ սերտորեն կապված MOSFET ինտեգրալ սխեմաները, որոնք կազմված են PMOSFET-ներից ևNMOSFET-ներ կոչվում են CMOSFET ինտեգրալ սխեմաներ:

MOSFET-ը, որը բաղկացած է p-տիպի ենթաշերտից և բարձր կոնցենտրացիայի արժեքներով երկու n-տարածվող տարածքներից, կոչվում է n-ալիք:ՄՈՍՖԵՏ, և n-տիպի հաղորդիչ ալիքով առաջացած հաղորդիչ ալիքը պայմանավորված է n-տարածման ուղիներով երկու n-տարածման ուղիներով, որոնք ունեն բարձր կոնցենտրացիայի արժեքներ, երբ խողովակը հաղորդվում է: n-ալիքով հաստացած MOSFET-ներն ունեն n-ալիք, որն առաջանում է հաղորդիչ ալիքով, երբ դարպասի մոտ հնարավորինս բարձրանում է դրական ուղղորդված կողմնակալություն և միայն այն դեպքում, երբ դարպասի աղբյուրի աշխատանքը պահանջում է շեմային լարումը գերազանցող աշխատանքային լարումը: n-channel depletion MOSFET-ները նրանք են, որոնք պատրաստ չեն դարպասի լարմանը (դարպասի աղբյուրի աշխատանքը պահանջում է զրոյական աշխատանքային լարում): Լույսի նվազման n-ալիքի MOSFET-ը n-ալիքային MOSFET-ն է, որի հաղորդիչ ալիքն առաջանում է, երբ դարպասի լարումը (դարպասի աղբյուրի գործառնական պահանջի աշխատանքային լարումը զրոյական է) պատրաստ չէ:

NMOSFET ինտեգրալ սխեմաները N-ալիքային MOSFET սնուցման սխեման են, NMOSFET ինտեգրալային սխեմաներ, մուտքային դիմադրությունը շատ բարձր է, ճնշող մեծամասնությունը չպետք է մարսվի էներգիայի հոսքի կլանումը, և, հետևաբար, CMOSFET և NMOSFET ինտեգրալ սխեմաները միացված են առանց ներս մտնելու: հաշվի է առնվում էներգիայի հոսքի ծանրաբեռնվածությունը: NMOSFET ինտեգրալ սխեմաները, ընտրության ճնշող մեծամասնությունը մեկ խմբի դրական անջատիչ էլեկտրամատակարարման սխեմաների էլեկտրամատակարարման սխեմաներ NMOSFET ինտեգրալային սխեմաների մեծամասնությունը օգտագործում է մեկ դրական անջատիչ էլեկտրամատակարարման սխեմայի էլեկտրամատակարարման միացում, իսկ ավելին մինչև 9 Վ: CMOSFET ինտեգրալ սխեմաներին անհրաժեշտ է միայն օգտագործել նույն անջատիչ սնուցման սխեմայի էլեկտրամատակարարման սխեման, ինչ NMOSFET ինտեգրալ սխեմաները, կարող են անմիջապես միանալ NMOSFET ինտեգրալ սխեմաներին: Այնուամենայնիվ, NMOSFET-ից CMOSFET-ը անմիջապես միացվում է, քանի որ NMOSFET-ի ելքի ձգման դիմադրությունը փոքր է, քան CMOSFET ինտեգրալ սխեմայի ստեղնով ձգվող դիմադրությունը, ուստի փորձեք կիրառել պոտենցիալ տարբերության պոտենցիալ տարբերության pull-up ռեզիստոր R, R-ի արժեքն է. ընդհանուր առմամբ 2-ից 100KΩ:

N-ալիքով հաստացած MOSFET-ների կառուցում
Ցածր դոպինգի կոնցենտրացիայի արժեք ունեցող P տիպի սիլիցիումային սուբստրատի վրա պատրաստվում են երկու N շրջաններ՝ դոպինգի բարձր կոնցենտրացիայի արժեքով, և երկու էլեկտրոդներ հանվում են ալյումինե մետաղից՝ համապատասխանաբար որպես արտահոսք d և աղբյուր s:

Այնուհետև կիսահաղորդչային բաղադրիչի մակերևույթում քողարկվում է սիլիցիումի մեկուսիչ խողովակի շատ բարակ շերտ, արտահոսքի մեջ՝ արտահոսքի աղբյուրի մեկուսիչ խողովակի միջև՝ ջրահեռացման և մեկ այլ ալյումինե էլեկտրոդի աղբյուրի միջև, ինչպես դարպասը g.

Ենթաշերտի մեջ նաև դուրս բերեք էլեկտրոդ B, որը բաղկացած է N-ալիքով հաստ MOSFET-ից: MOSFET-ի աղբյուրը և հիմքը, ընդհանուր առմամբ, միացված են միասին, գործարանի խողովակի ճնշող մեծամասնությունը վաղուց միացված է դրան, դրա դարպասը և այլ էլեկտրոդները մեկուսացված են պատյանների միջև: