MOSFET փոքր հոսանքի ջեռուցման պատճառները և միջոցառումները

I. ՊատճառներըՄՈՍՖԵՏ ջեռուցում
1, շղթայի նախագծման խնդիրը. Դա թույլ է տալիս, որ MOSFET-ը աշխատի առցանց վիճակում, այլ ոչ թե միացման վիճակում: Սա MOSFET-ի տաքացման պատճառներից մեկն է: Եթե ​​N-MOS-ը կատարում է միացում, ապա G- մակարդակի լարումը պետք է մի քանի Վ ավելի բարձր լինի սնուցման աղբյուրից, որպեսզի ամբողջությամբ միացված լինի, իսկ P-MOS-ի դեպքում հակառակն է: Լիովին բաց չէ, և լարման անկումը չափազանց մեծ է, ինչը հանգեցնում է էներգիայի սպառման, համարժեք DC դիմադրությունը համեմատաբար մեծ է, լարման անկումը մեծանում է, ուստի U * I-ը նույնպես մեծանում է, կորուստը նշանակում է ջերմություն:

2, հաճախականությունը չափազանց բարձր է: Հիմնականում երբեմն չափից շատ է ծավալը, ինչը հանգեցնում է հաճախականության ավելացման, ՄՈՍՖԵՏ-ի կորուստների աճին, ինչը նաև հանգեցնում է ՄՈՍՖԵՏ-ի տաքացմանը:

3, հոսանքը չափազանց բարձր է: Երբ ID-ն առավելագույն հոսանքից պակաս է, այն նաև կհանգեցնի MOSFET-ի տաքացմանը:

4, MOSFET մոդելի ընտրությունը սխալ է։ MOSFET-ի ներքին դիմադրությունը լիովին հաշվի չի առնվում, ինչը հանգեցնում է անջատման դիմադրության մեծացման:դու,

Լուծումը MOSFET-ի խիստ ջերմության առաջացման համար
1, Լավ աշխատանք կատարեք MOSFET-ի ջերմատախտակի դիզայնի վրա:

2, Ավելացրեք բավականաչափ օժանդակ ջերմատախտակներ:

3, Կպցնել ջերմատախտակի սոսինձը: