MOSFET-ի անարդյունավետության պատճառների վերլուծություն

1, լարման ձախողումը հաճախ ասում են, որ արտահոսքը BVdss-ի աղբյուրի միջև լարումը գերազանցում է mosfet-ի անվանական լարումը և դուրս է Mosfet-ի ձախողման հանգեցնելու որոշակի կարողությունից:

2, ընթացիկ խափանումը, որը գերազանցում է mosfet-ի անվտանգ աշխատանքային միջակայքը և անվավերը, որը բաժանված է Id-ի, գերազանցում է սարքի բնութագրերը, և դրա Id-ի հետևանքով առաջացած խափանումը չափազանց մեծ է, բարձր մաշվածություն, ինչը հանգեցնում է երկարատև ջերմային կուտակման: սարքը և ձախողումը.

3, կամուրջում, ՍՊԸ-ում և մարմնի դիոդի վրա գործող այլ արդյունավետ տոպոլոգիա իրականացնելու համար, քանի որ մարմնի դիոդը ոչնչացվել է և անվավեր է:

4, զուգահեռ կիրառման գործընթացում, շղթայի պարազիտային պարամետրերով դարպասը հանգեցնում է տատանումների, կառաջացնի ռեզոնանսային ձախողում:

5, չոր միջավայրում, քանի որ մարդու մարմինը և սարքավորումները և սարքի կողմից առաջացած ստատիկ էլեկտրականությունը կհանգեցնեն ստատիկ անարդյունավետության:

6. Դարպասի լարումը անվավեր է դարպասի մոտ աշխատանքային լարման աննորմալ գագաթնակետի պատճառով:

Վերը նշվածը հիմնված էՄՈՍՖԵՏվերլուծելով ձախողման պատճառները, մենք կատարում ենք համապատասխան մշակման գործողություններ, կան այլ հարցեր, որոնք ողջունում են մեզ առցանց խորհրդակցել Guanhua Weiye ընկերությունը, կարող է ձեզ արդյունավետ պատասխաններ և որակյալ սպասարկման վերաբերմունք տրամադրել:
օլուկեյընկերությունը վարկի գոյատևման համար, հավատարիմ մնալով «առաջին հերթին որակը, առաջին հերթին սպասարկումը» նպատակին և շատ բարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություններին տանը և արտերկրում, սկզբնական գործարանը լավ աշխատանքային հարաբերություններ հաստատելու համար, բաշխման ոլորտում երկար տարիների մասնագիտական ​​փորձով, լավ վարկով, գերազանց սպասարկում, վստահության և աջակցության լայն շրջանակ: