ԻշխանությունՄՈՍՖԵՏ «MOSFET»-ը հանդիսանում է «Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor»-ի ստեղծած «Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor»-ը: Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metaal materiaal, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan ելք, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht devolnaderent N-kanaal տեսակ en P-kanaal տեսակ.
Հզոր MOSFET-ի բառը վեր է ածվում վետերանային սխեմաների վրա: Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten պարամետր RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON)-ը կարող է օգտագործվել FET-toepassingen-ի համար: Տվյալների տեղեկատվական ուղեցույցը սահմանում է RDS(ON)-ը, որը վերաբերում է պանելային դարպասին, VGS-ին, ննջասենյակի դռներին, իսկ RDS(ON)-ը հարաբերական է ստատիստիկ gegevensparameter voor voldoende gate drive-ում:
Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie en must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET-ի parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. In veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in Serie Schakelen Zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.
Naast RDS(ON), ինչպես նաև MOSFET-ի ընտրության գործընթացում, ինչպես նաև MOSFET-ի պարամետրերով: In veel gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in the Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.
Բեռնվածության պայմանների վերը նշված տեսակների համար, ավելի մեծ գործառնական լարումը գնահատելուց (կամ չափելուց) հետո, այնուհետև թողնելով 20% -ից մինչև 30% մարժան, կարող եք նշել MOSFET-ի անհրաժեշտ անվանական ընթացիկ VDS արժեքը: Այստեղ պետք է ասեմ, որ ավելի լավ ծախսերի և ավելի սահուն բնութագրերի համար, կարելի է AC հոսանքի շարքի մեջ ընտրել ընթացիկ դիոդներ և ինդուկտորներ ընթացիկ կառավարման օղակի կազմի փակման ժամանակ, ազատել ինդուկտիվ հոսանքի կինետիկ էներգիան պահպանելու համար: ՄՈՍՖԵՏ. գնահատված հոսանքը պարզ է, ընթացիկը կարելի է եզրակացնել: Բայց այստեղ պետք է հաշվի առնել երկու պարամետր՝ մեկը շարունակական գործողության ընթացքում հոսանքի արժեքն է և մեկ իմպուլսային հոսանքի բարձրացման ամենաբարձր արժեքը (Spike և Surge), այս երկու պարամետրերը որոշելու համար, թե որքան պետք է ընտրեք գնահատված արժեքը: ընթացիկ արժեքը.
Հրապարակման ժամանակը` մայիս-28-2024
