Լավ և վատ MOSFET-ը տարբերելու երկու եղանակ կա.
Առաջինը. որակապես տարբերակել առավելություններն ու թերություններըMOSFET-ներ
Նախ օգտագործեք մուլտիմետր R × 10kΩ բլոկը (ներկառուցված 9V կամ 15V վերալիցքավորվող մարտկոց), դարպասին միացված բացասական գրիչը (սև) (G), աղբյուրին միացված դրական գրիչ (կարմիր) (S): Դեպի դարպաս՝ միջին մարտկոցի լիցքավորման աղբյուրը, ապամուլտիմետրը ասեղն ունի մեղմ շեղում: Այնուհետև փոխեք մուլտիմետր R × 1Ω բլոկի,բացասականը գրիչը դեպի արտահոսքը (D), դրական գրիչը աղբյուրին (S), մուլտիմետրի պիտակավորված արժեքը, եթե մի քանի օհմ մայր, դա ցույց է տալիս, որ MOSFET-ը լավ է:
Երկրորդը՝ հանգույցային MOSFET-ների էլեկտրական մակարդակի որակական լուծումՄուլտիմետրը կհավաքվի R × 100 ֆայլի վրա, կարմիր գրիչը պատահականորեն միացված է ոտնաթաթի խողովակին, սև գրիչը միացված է մեկ այլ ոտնաթաթի, այնպես որ երրորդ ոտքը կախված է օդում: Եթե գտնում եք, որ ասեղը մի փոքր տատանվում է, ապա հաստատվում է, որ երրորդ ոտքը դարպասի համար է: Փաստացի էֆեկտի, ինչպես նաև էլեկտրոնային թրթիռի մոտ կամ օդային ոտքերի վրա կախված մատի հպումով ավելի զգալի դիտարկում ստանալու համար ասեղը մեծ շեղում տեսնելու համար, այսինքն՝ ցույց տալով, որ օդում կախված ոտքերը դարպասն են: , մյուս երկու ոտքերը աղբյուրն ու արտահոսքն էին։
Տարբերակիչ պատճառներ.
JFET-ի մուտքային դիմադրությունը 100MΩ-ից ավելի է, և թափանցիկությունը շատ բարձր է, երբ փակ տարածքի մագնիսական դաշտը շատ հեշտ է մագնիսական կերպով հրահրել աշխատանքային լարման տվյալների ազդանշանը դարպասի վրա, այնպես, որ խողովակը հակված է դեպի կամ հակված միացված-անջատված լինել: Եթե մարմնի ինդուկցիոն լարումը անմիջապես ավելացվի դարպասին, քանի որ առանցքային էլեկտրամագնիսական միջամտությունը ուժեղ է, վերը նշված իրավիճակը ավելի ու ավելի էական կլինի: Եթե հաշվիչի սլաքը դեպի ձախ մեծ շեղումից, խողովակի անունից հակված է մինչև, արտահոսքի աղբյուրի ռեզիստորի RDS ընդլայնումը, արտահոսքի աղբյուրի ընթացիկ քանակությունը նվազեցված IDS-ին: ընդհակառակը, չափիչի սլաքը մեծ շեղումից դեպի աջ՝ ցույց տալով, որ խողովակը հակված է միացման-անջատման, RDS ↓, IDS ↑: Այնուամենայնիվ, հաշվիչի սլաքը, որի վերջում շեղման ուղղությունը, պետք է կախված լինի ինդուկտիվ լարման դրական և բացասական բևեռներից (աշխատանքային լարման դրական ուղղությունը կամ աշխատանքային լարման հակառակ ուղղությունը) և պողպատե խողովակի գործարկման կետից:
Նախազգուշացումներ.
(1) Փորձը ցույց է տալիս, որ երբ երկու ձեռքերը մեկուսացված են D և S բևեռներից, և միայն դարպասին է դիպչում, ասեղը սովորաբար թեքվում է դեպի ձախ: Այնուամենայնիվ, եթե երկու ձեռքերը դիպչում են D, S բևեռներից յուրաքանչյուրին և մատներով դիպչում են դարպասին, ապա հնարավոր է դիտել ասեղի շեղումը դեպի աջ: Հիմնական պատճառն այն է, որ MOSFET-ի մի շարք դիրքերի և ռեզիստորների մարմինն ունի հղման կետի ազդեցություն, այնպես որ այն մտնում է հագեցվածության վիճակի տարածք:
Հրապարակման ժամանակը՝ Հուլիս-22-2024
