Մեր օրերում, գիտության և տեխնիկայի արագ զարգացման հետ մեկտեղ, կիսահաղորդիչներն օգտագործվում են ավելի ու ավելի շատ ոլորտներում, որոնցումՄՈՍՖԵՏ համարվում է նաև շատ տարածված կիսահաղորդչային սարք, հաջորդ քայլը հասկանալն է, թե որն է տարբերությունը երկբևեռ ուժային բյուրեղյա տրանզիստորի և ելքային հզորության MOSFET-ի բնութագրերի միջև:
1, աշխատանքի ձևը
MOSFET-ը գործառնական լարման խթանման համար պահանջվող աշխատանքն է, սխեմաները բացատրում են համեմատաբար պարզ, խթանում են փոքր հզորությունը; էներգիայի բյուրեղյա տրանզիստորը էներգիայի հոսք է, որը նպաստում է ծրագրի դիզայնին, ավելի բարդ է, խթանելու հստակեցումը ընտրության դժվար է խթանել ճշգրտումը կվտանգի էլեկտրամատակարարման ընդհանուր միացման արագությունը:
2, էլեկտրամատակարարման ընդհանուր միացման արագությունը
Ջերմաստիճանի ազդեցության տակ գտնվող MOSFET-ը փոքր է, էլեկտրամատակարարման անջատիչ ելքային հզորությունը կարող է ապահովել, որ ավելի քան 150KHz; սնուցման բյուրեղյա տրանզիստորն ունի շատ քիչ ազատ լիցքավորման պահեստավորման ժամկետ, որը սահմանափակում է էլեկտրամատակարարման միացման արագությունը, բայց դրա ելքային հզորությունը սովորաբար 50 ԿՀց-ից ոչ ավելի է:
3, Անվտանգ աշխատանքային տարածք
Power MOSFET չունի երկրորդական հիմք, իսկ անվտանգ աշխատանքային տարածքը լայն է. ուժային բյուրեղյա տրանզիստորն ունի երկրորդական հիմքի իրավիճակ, որը սահմանափակում է անվտանգ աշխատանքային տարածքը:
4, Էլեկտրական հաղորդիչի աշխատանքային պահանջի աշխատանքային լարումը
ԻշխանությունՄՈՍՖԵՏ պատկանում է բարձր լարման տիպին, անցկացման աշխատանքային պահանջը աշխատանքային լարումն ավելի բարձր է, կա դրական ջերմաստիճանի գործակից. ուժային բյուրեղյա տրանզիստոր, անկախ նրանից, թե որքան գումար է դիմացկուն աշխատանքային պահանջներին աշխատանքային լարման, էլեկտրական դիրիժորի աշխատանքային պահանջի աշխատանքային լարումը ավելի ցածր է և ունի բացասական ջերմաստիճանի գործակից:
5, առավելագույն հզորության հոսքը
Power MOSFET-ը միացման էլեկտրամատակարարման միացումում էլեկտրամատակարարման սխեմայի էլեկտրամատակարարման սխեման որպես էլեկտրամատակարարման անջատիչ, գործող և կայուն աշխատանքի մեջտեղում, առավելագույն էներգիայի հոսքը ցածր է; իսկ ուժային բյուրեղյա տրանզիստորը շահագործման մեջ և կայուն աշխատանքը միջինում, առավելագույն հզորության հոսքը ավելի բարձր է:
6, Ապրանքի արժեքը
Էլեկտրաէներգիայի MOSFET-ի արժեքը մի փոքր ավելի բարձր է. էներգիայի բյուրեղյա տրիոդի արժեքը մի փոքր ավելի ցածր է:
7. Ներթափանցման էֆեկտ
Power MOSFET-ը չունի ներթափանցման ազդեցություն; ուժային բյուրեղյա տրանզիստորն ունի ներթափանցման ազդեցություն:
8, Անցման կորուստ
MOSFET-ի միացման կորուստը մեծ չէ. ուժային բյուրեղյա տրանզիստորի միացման կորուստը համեմատաբար մեծ է:
Ի հավելումն, իշխանության MOSFET-ի ճնշող մեծամասնությունը ինտեգրված հարվածներ կլանող դիոդ է, մինչդեռ երկբևեռ էներգիայի բյուրեղյա տրանզիստորը գրեթե չունի ինտեգրված ցնցող կլանող դիոդ: էլեկտրաէներգիայի հոսքի անվտանգության ալիքը: Դաշտային էֆեկտի խողովակը հարվածային կլանող դիոդում ամբողջ գործընթացում անջատվելու է ընդհանուր դիոդի հետ, քանի որ առկա է հակադարձ վերականգնման հոսանքի հոսք, այս պահին դիոդը մի կողմից վերցնում է արտահոսքը - աղբյուր բևեռը դրական միջին էական է: գործառնական լարման աշխատանքային պահանջների բարձրացում, մյուս կողմից, և հակադարձ վերականգնման հոսանքի հոսքը:
Հրապարակման ժամանակը՝ մայիս-24-2024
