MOSFET-ները (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) հաճախ համարվում են լիովին կառավարվող սարքեր: Դա պայմանավորված է նրանով, որ MOSFET-ի գործառնական վիճակը (միացված կամ անջատված) ամբողջությամբ վերահսկվում է դարպասի լարման միջոցով (Vgs) և կախված չէ բազային հոսանքից, ինչպես երկբևեռ տրանզիստորի (BJT) դեպքում:
MOSFET-ում դարպասի լարումը Vgs որոշում է, թե արդյոք հաղորդիչ ալիք է ձևավորվում աղբյուրի և արտահոսքի միջև, ինչպես նաև հաղորդիչ ալիքի լայնությունն ու հաղորդունակությունը: Երբ Vgs-ը գերազանցում է Vt լարման շեմը, ձևավորվում է հաղորդիչ ալիքը և MOSFET-ը մտնում է միացված վիճակի մեջ. երբ Vgs-ն ընկնում է Vt-ից ցածր, հաղորդիչ ալիքը անհետանում է, և MOSFET-ը գտնվում է անջատման վիճակում: Այս հսկողությունը լիովին վերահսկվում է, քանի որ դարպասի լարումը կարող է ինքնուրույն և ճշգրիտ վերահսկել MOSFET-ի աշխատանքային վիճակը՝ առանց հենվելու այլ ընթացիկ կամ լարման պարամետրերի:
Ի հակադրություն, կիսակառավարվող սարքերի (օրինակ՝ թրիստորների) աշխատանքային վիճակի վրա ազդում են ոչ միայն հսկիչ լարումը կամ հոսանքը, այլ նաև այլ գործոններ (օրինակ՝ անոդի լարումը, հոսանքը և այլն)։ Արդյունքում, լիովին կառավարվող սարքերը (օրինակ՝ MOSFET-ները) սովորաբար ավելի լավ կատարում են ապահովում կառավարման ճշգրտության և ճկունության առումով:
Ամփոփելով, MOSFET-ները լիովին կառավարվող սարքեր են, որոնց աշխատանքային վիճակը լիովին վերահսկվում է դարպասի լարման միջոցով և ունեն բարձր ճշգրտության, բարձր ճկունության և էներգիայի ցածր սպառման առավելությունները:
Հրապարակման ժամանակը՝ 20-2024թ
