MOSFET հակադարձ միացում

Նախ, MOSFET հակադարձ միացման հիմնական սկզբունքը

MOSFET հակադարձ միացում, օգտագործելով MOSFET-ի անջատման բնութագրերը, վերահսկելով դարպասի (G) լարումը, միացնելով և անջատելով միացումը: Երբ էլեկտրամատակարարման բևեռականությունը ճիշտ է, դարպասի լարումը դարձնում է MOSFET-ը հաղորդման վիճակում, հոսանքը կարող է նորմալ հոսել; երբ էլեկտրամատակարարման բևեռականությունը հակադարձվում է, դարպասի լարումը չի կարող կատարել MOSFET հաղորդունակությունը, այդպիսով անջատելով միացումը:

Երկրորդ, MOSFET հակադարձ սխեմայի կոնկրետ իրականացումը

1. N-channel MOSFET հակադարձ միացում

N-channel MOSFET-ները սովորաբար օգտագործվում են հակադարձ սխեմաների իրականացման համար: Շղթայում N-ալիքի MOSFET-ի աղբյուրը (S) միացված է բեռի բացասական տերմինալին, արտահոսքը (D) միացված է հոսանքի սնուցման դրական տերմինալին, իսկ դարպասը (G) միացված է. էլեկտրամատակարարման բացասական տերմինալը ռեզիստորի միջոցով կամ վերահսկվող հսկիչ սխեմայի միջոցով:

Հոսանքի աղբյուրի դրական տերմինալը միացված է D-ին, իսկ բացասական տերմինալը միացված է S-ին: Այս պահին ռեզիստորը ապահովում է դարպասի աղբյուրի լարումը (VGS) MOSFET-ի համար, և երբ VGS-ը գերազանցում է շեմը: MOSFET-ի լարումը (Vth), MOSFET-ը վարում է, և հոսանքը հոսում է սնուցման դրական տերմինալից դեպի բեռը MOSFET-ի միջոցով:

Երբ շրջվում է. սնուցման դրական տերմինալը միացված է S-ին, իսկ բացասական տերմինալը միացված է D-ին: Այս պահին MOSFET-ը անջատված վիճակում է, և շղթան անջատված է՝ բեռը վնասից պաշտպանելու համար, քանի որ դարպասի լարումը ի վիճակի չէ ձևավորել բավարար VGS՝ MOSFET-ի անցկացումը կատարելու համար (VGS-ը կարող է լինել 0-ից փոքր կամ Vth-ից շատ փոքր):

2. Օժանդակ բաղադրիչների դերը

Ռեզիստոր. Օգտագործվում է MOSFET-ի դարպասի աղբյուրի լարումը ապահովելու և դարպասի հոսանքը սահմանափակելու համար՝ դարպասի գերհոսանքից վնասը կանխելու համար:

Լարման կարգավորիչ. կամընտիր բաղադրիչ, որն օգտագործվում է դարպասի աղբյուրի լարման չափազանց բարձր լինելուց և MOSFET-ը քայքայելուց կանխելու համար:

Մակաբուծական դիոդ. Մակաբուծական դիոդ (մարմնի դիոդ) գոյություն ունի MOSFET-ի ներսում, սակայն դրա ազդեցությունը սովորաբար անտեսվում կամ խուսափում է շղթայի նախագծմամբ՝ հակադարձ սխեմաներում դրա վնասակար ազդեցությունից խուսափելու համար:

Երրորդ, MOSFET հակադարձ միացման առավելությունները

 

Ցածր կորուստ. MOSFET-ի միացման դիմադրությունը փոքր է, միացման դիմադրության լարումը նվազում է, ուստի շղթայի կորուստը փոքր է:

 

 

Բարձր հուսալիություն. հակադարձ գործառույթը կարող է իրականացվել պարզ շղթայի դիզայնի միջոցով, և MOSFET-ն ինքնին ունի հուսալիության բարձր աստիճան:

 

Ճկունություն. MOSFET-ի տարբեր մոդելներ և սխեմաներ կարող են ընտրվել տարբեր կիրառական պահանջներին համապատասխանելու համար:

 

Նախազգուշական միջոցներ

 

MOSFET հակադարձ միացման նախագծման ժամանակ դուք պետք է ապահովեք, որ MOSFET-ների ընտրությունը համապատասխանի կիրառման պահանջներին, ներառյալ լարումը, հոսանքը, անջատման արագությունը և այլ պարամետրերը:

 

Շղթայի աշխատանքի վրա անբարենպաստ ազդեցություններից խուսափելու համար անհրաժեշտ է հաշվի առնել շղթայի այլ բաղադրիչների ազդեցությունը, ինչպիսիք են մակաբուծական հզորությունը, մակաբուծական ինդուկտիվությունը և այլն:

 

Գործնական կիրառություններում նույնպես պահանջվում է համապատասխան փորձարկում և ստուգում՝ շղթայի կայունությունն ու հուսալիությունն ապահովելու համար:

 

Ամփոփելով, MOSFET հակադարձ շղթան պարզ, հուսալի և ցածր կորուստներով էներգիայի մատակարարման պաշտպանության սխեմա է, որը լայնորեն օգտագործվում է մի շարք ծրագրերում, որոնք պահանջում են հակադարձ էներգիայի բևեռականության կանխարգելում: