Մեկուսիչ շերտի դարպասի տեսակը MOSFET aliasՄՈՍՖԵՏ (այսուհետ՝ MOSFET), որն ունի սիլիցիումի երկօքսիդի մալուխային պատյան դարպասի լարման և աղբյուրի արտահոսքի մեջտեղում։
MOSFET-ը նույնպեսN-ալիք և P-channel երկու կատեգորիա, բայց յուրաքանչյուր կատեգորիա բաժանված է ուժեղացման և լույսի սպառման տիպի երկրորդի, հետևաբար կան ընդհանուր չորս տեսակներ.N-ալիքի ընդլայնում, P-channel ուժեղացում, N-channel լույսի սպառում, P-channel լույսի սպառման տեսակ: Բայց որտեղ դարպասի աղբյուրի լարումը զրո է, արտահոսքի հոսանքը նույնպես զրո է խողովակի ուժեղացված խողովակի վրա: Այնուամենայնիվ, որտեղ դարպասի աղբյուրի լարումը զրո է, արտահոսքի հոսանքը զրոյական չէ, դասակարգվում են որպես լույս սպառող տիպի խողովակներ:
Ընդլայնված MOSFET սկզբունքը.
Դարպասի մեջտեղում աշխատելիս աղբյուրը չի օգտագործում լարումը, արտահոսքի աղբյուրի PN հանգույցի կեսը գտնվում է հակառակ ուղղությամբ, այնպես որ հաղորդիչ ալիք չի լինի, նույնիսկ եթե արտահոսքի աղբյուրի կեսը լարումով, հաղորդիչ խրամուղի հոսանքը փակ է, հնարավոր չէ աշխատանքային հոսանք ունենալ ըստ. Երբ դարպասի աղբյուրի միջնամասը գումարած դրական ուղղության լարումը հասնում է որոշակի արժեքի, արտահոսքի աղբյուրի մեջտեղում կստեղծվի հաղորդիչ անվտանգության ալիք, այնպես որ հաղորդիչ խրամատը, որը հենց այս դարպասի աղբյուրի լարման կողմից արտադրվում է, կոչվում է բաց լարման VGS, Որքան մեծ է դարպասի աղբյուրի լարման միջին մասը, այնքան հաղորդիչ խրամատն ավելի լայն է, որն իր հերթին ավելի մեծ է դարձնում էլեկտրաէներգիայի հոսքը:
Լույսի ցրող MOSFET-ի սկզբունքը.
Գործողության ընթացքում ոչ մի լարում չի օգտագործվում դարպասի աղբյուրի մեջտեղում, ի տարբերություն MOSFET-ի ուժեղացման տիպի, և արտահոսքի աղբյուրի մեջտեղում գոյություն ունի հաղորդիչ ալիք, հետևաբար արտահոսքի աղբյուրի կեսին ավելացվում է միայն դրական լարում, որը: հանգեցնում է արտահոսքի հոսանքի: Ավելին, լարման դրական ուղղության մեջտեղում գտնվող դարպասի աղբյուրը, հաղորդիչ ալիքի ընդլայնումը, ավելացրեք լարման հակառակ ուղղությունը, հաղորդիչ ալիքը կծկվում է, էլեկտրաէներգիայի հոսքի միջոցով ավելի փոքր կլինի, MOSFET համեմատության բարելավմամբ, այն կարող է լինել նաև հաղորդիչ ալիքի որոշակի քանակի շրջանների դրական և բացասական թվի մեջ:
MOSFET-ի արդյունավետությունը.
Նախ, MOSFET-ները օգտագործվում են մեծացնելու համար: Քանի որ MOSFET ուժեղացուցիչի մուտքային դիմադրությունը շատ բարձր է, ուստի ֆիլտրի կոնդենսատորը կարող է ավելի փոքր լինել՝ առանց էլեկտրոլիտիկ կոնդենսատորներ կիրառելու անհրաժեշտության:
Երկրորդ, MOSFET-ի շատ բարձր մուտքային դիմադրությունը հատկապես հարմար է բնորոշ դիմադրության փոխակերպման համար: Սովորաբար օգտագործվում է բազմամակարդակ ուժեղացուցիչի մուտքագրման փուլում՝ բնորոշ դիմադրության փոխակերպման համար:
MOSFET-ը կարող է օգտագործվել որպես կարգավորվող ռեզիստոր:
Չորրորդ, MOSFET-ը կարող է հարմար լինել որպես DC էլեկտրամատակարարում:
V. MOSFET-ը կարող է օգտագործվել որպես անջատիչ տարր:
Հրապարակման ժամանակը՝ Հուլիս-23-2024
