MOSFET-ներդեր խաղալմիացման սխեմաներումմիացումն ու անջատումը և ազդանշանի փոխակերպումը վերահսկելն է:MOSFET-ներ կարելի է լայնորեն բաժանել երկու կատեգորիայի՝ N-ալիք և P-ալիք:
N-ալիքումՄՈՍՖԵՏմիացում, BEEP փին բարձր է, որպեսզի միացվի բզզիչի արձագանքը, և ցածր՝ ազդանշանն անջատելու համար:P-ալիքըՄՈՍՖԵՏGPS մոդուլի սնուցման միացումն ու անջատումը կառավարելու համար, GPS_PWR փին ցածր է, երբ միացված է, GPS մոդուլը միացված է նորմալ էներգիայի մատակարարում, և բարձր՝ GPS մոդուլն անջատելու համար:
P-ալիքՄՈՍՖԵՏN տիպի սիլիցիումային ենթաշերտը P + տարածաշրջանում ունի երկու՝ արտահոսք և աղբյուր: Այս երկու բևեռները հաղորդիչ չեն միմյանց հետ, երբ աղբյուրին հողակցվելիս բավականաչափ դրական լարում է ավելացվում, դարպասի տակ գտնվող N տիպի սիլիկոնային մակերեսը կհայտնվի որպես P տիպի հակադարձ շերտ՝ արտահոսքն ու աղբյուրը միացնող ալիքի մեջ։ . Դարպասի մոտ լարումը փոխելը փոխում է ալիքի անցքերի խտությունը՝ այդպիսով փոխելով կապուղու դիմադրությունը: Սա կոչվում է P-ալիքի ուժեղացման դաշտի ազդեցության տրանզիստոր:
NMOS-ի բնութագրերը, Vgs-ը, քանի դեռ որոշակի արժեքից մեծ է, միացված կլինի, կիրառելի է աղբյուրի վրա հիմնավորված ցածրակարգ սկավառակի գործի համար, պայմանով, որ դարպասի լարումը գծի վրա լինի 4 Վ կամ 10 Վ:
PMOS-ի բնութագրերը, ի տարբերություն NMOS-ի, կմիանան այնքան ժամանակ, քանի դեռ Vgs-ը որոշակի արժեքից փոքր է, և այն հարմար է օգտագործման համար բարձրակարգ սկավառակի դեպքում, երբ աղբյուրը միացված է VCC-ին: Այնուամենայնիվ, փոխարինման տեսակների փոքր քանակի, միացման բարձր դիմադրության և բարձր գնի պատճառով, չնայած PMOS-ը կարող է շատ հարմար օգտագործվել բարձրակարգ սկավառակի դեպքում, ուստի բարձրակարգ սկավառակում, ընդհանուր առմամբ, դեռ օգտագործեք NMOS:
Ընդհանուր առմամբ,MOSFET-ներունեն բարձր մուտքային դիմադրություն, հեշտացնում են ուղիղ միացումը սխեմաներում և համեմատաբար հեշտ են արտադրվում լայնածավալ ինտեգրալ սխեմաների մեջ:
Հրապարակման ժամանակը` Հուլիս-20-2024
