Որո՞նք են ջերմության պատճառները ինվերտորի MOSFET-ում:

ԻնվերտորըMOSFET-ներաշխատել անջատիչ վիճակում, և խողովակների միջով հոսող հոսանքը շատ բարձր է: Եթե ​​խողովակը ճիշտ ընտրված չէ, շարժիչ լարման ամպլիտուդը բավականաչափ մեծ չէ կամ շղթայի ջերմության ցրումը լավ չէ, դա կարող է հանգեցնել MOSFET-ի տաքացմանը:

 

1, inverter MOSFET ջեռուցումը լուրջ է, պետք է ուշադրություն դարձնել MOSFET-ի ընտրությանը

ՄՈՍՖԵՏ-ը ինվերտորում միացման վիճակում սովորաբար պահանջում է իր արտահոսքի հոսանքը որքան հնարավոր է մեծ, հնարավորինս փոքր դիմադրությունը, ինչը կարող է նվազեցնել խողովակի հագեցվածության լարման անկումը, դրանով իսկ նվազեցնելով խողովակը սպառումից հետո, նվազեցնել ջերմությունը:

Ստուգեք MOSFET-ի ձեռնարկը, մենք կտեսնենք, որ որքան բարձր է MOSFET-ի դիմադրողական լարման արժեքը, այնքան մեծ է նրա դիմադրությունը, և նրանք, ովքեր ունեն բարձր արտահոսքի հոսանքը և խողովակի ցածր դիմադրության լարման արժեքը, դրա դիմադրությունը սովորաբար տասնյակից ցածր է: միլիօմ.

Ենթադրելով բեռնվածության հոսանքը 5 Ա, մենք ընտրում ենք ինվերտորը, որը սովորաբար օգտագործվում է MOSFET RU75N08R և լարման դիմացկուն արժեքը կարող է լինել 500V 840, դրանց արտահոսքի հոսանքը 5A կամ ավելի է, բայց երկու խողովակների միացման դիմադրությունը տարբեր է, վարում է նույն հոսանքը: , նրանց ջերմության տարբերությունը շատ մեծ է։ 75N08R միացման դիմադրությունը կազմում է ընդամենը 0,008Ω, մինչդեռ 840-ի դիմադրությունը 0,85Ω է, երբ խողովակի միջով հոսող բեռնվածքի հոսանքը 5A է, 75N08R խողովակի լարման անկումը կազմում է ընդամենը 0,04 Վ, այս պահին MOSFET խողովակի սպառումը կազմում է: ընդամենը 0,2 Վտ, մինչդեռ 840 խողովակի լարման անկումը կարող է լինել մինչև 4,25 Վտ, խողովակի սպառումը հասնում է 21,25 Վտ-ի: Այստեղից երևում է, որ որքան փոքր է ինվերտորի MOSFET-ի միացման դիմադրությունը, այնքան լավ, խողովակի միացման դիմադրությունը մեծ է, խողովակի սպառումը բարձր հոսանքի տակ: Ինվերտորի MOSFET-ի դիմադրությունը նույնքան փոքր է: որքան հնարավոր է.

 

2, շարժիչ լարման ամպլիտուդի շարժիչ միացումը բավականաչափ մեծ չէ

MOSFET-ը լարման կառավարման սարք է, եթե ցանկանում եք նվազեցնել խողովակի սպառումը, նվազեցնել ջերմությունը,ՄՈՍՖԵՏԴարպասի շարժիչ լարման ամպլիտուդը պետք է լինի բավականաչափ մեծ, որպեսզի զարկերակային եզրը լինի կտրուկ և ուղիղ, կարող եք նվազեցնել խողովակի լարման անկումը, նվազեցնել խողովակի սպառումը:

 

3, MOSFET ջերմության տարածումը լավ պատճառ չէ

InverterՄՈՍՖԵՏջեռուցումը լուրջ է. Քանի որ inverter MOSFET-ի էներգիայի սպառումը մեծ է, աշխատանքը սովորաբար պահանջում է ջերմատախտակի բավական մեծ արտաքին տարածք, և արտաքին ջերմատաքացուցիչը և հենց MOSFET-ը ջերմատաքացուցիչի միջև պետք է սերտ կապի մեջ լինեն (ընդհանուր առմամբ պահանջվում է, որ այն պատված լինի ջերմահաղորդիչ սիլիկոնե քսուքով: ), եթե արտաքին ջերմատաքացուցիչն ավելի փոքր է, կամ շփումը MOSFET-ի սեփական ջերմատաքացուցիչի հետ բավականաչափ մոտ չէ, կարող է հանգեցնել խողովակի տաքացման:

 

Inverter MOSFET-ի ջեռուցումը լուրջ է, ամփոփման չորս պատճառ կա.

ՄՈՍՖԵՏ-ի թեթև տաքացումը նորմալ երևույթ է, բայց լուրջ տաքացումը, նույնիսկ դեպի խողովակ տանող, այրվում է, կան հետևյալ չորս պատճառները.

 

1, շղթայի նախագծման խնդիրը

Թող MOSFET-ը աշխատի գծային գործող վիճակում, այլ ոչ թե անջատիչ սխեմայի վիճակում: Դա նաև MOSFET-ի տաքացման պատճառներից է։ Եթե ​​N-MOS-ը կատարում է միացում, ապա G- մակարդակի լարումը պետք է մի քանի Վ ավելի բարձր լինի սնուցման աղբյուրից, որպեսզի ամբողջությամբ միացված լինի, մինչդեռ P-MOS-ը հակառակն է: Լիովին բաց չէ, և լարման անկումը չափազանց մեծ է, ինչը հանգեցնում է էներգիայի սպառման, համարժեք DC դիմադրությունն ավելի մեծ է, լարման անկումը մեծանում է, ուստի U * I նույնպես մեծանում է, կորուստը նշանակում է ջերմություն: Սա շղթայի նախագծման մեջ ամենաշատ խուսափված սխալն է:

 

2, չափազանց բարձր հաճախականություն

Հիմնական պատճառն այն է, որ երբեմն ծավալի չափից ավելի ձգտումը, որի արդյունքում հաճախականությունը մեծանում է, մեծանում է MOSFET-ի կորուստները, ուստի ջերմությունը նույնպես մեծանում է:

 

3, ոչ բավարար ջերմային դիզայն

Եթե ​​հոսանքը չափազանց բարձր է, MOSFET-ի անվանական ընթացիկ արժեքը սովորաբար պահանջում է լավ ջերմության տարածում հասնելու համար: Այսպիսով, ID-ն ավելի քիչ է, քան առավելագույն հոսանքը, այն կարող է նաև վատ տաքանալ, անհրաժեշտ է բավականաչափ օժանդակ ջերմատաքացուցիչ:

 

4, MOSFET-ի ընտրությունը սխալ է

Հզորության սխալ դատողությունը, MOSFET-ի ներքին դիմադրությունը լիովին հաշվի չի առնվում, ինչը հանգեցնում է անջատման դիմադրության մեծացման: