Որո՞նք են MOSFET-ների օգտագործումը:

MOSFET-ներլայնորեն կիրառվում են։ Այժմ որոշ լայնածավալ ինտեգրալ սխեմաներ օգտագործվում են MOSFET-ը, հիմնական ֆունկցիան և BJT տրանզիստորը, միացումն ու ուժեղացումն է: Հիմնականում BJT տրիոդը կարող է օգտագործվել այնտեղ, որտեղ այն կարող է օգտագործվել, և որոշ տեղերում կատարումը ավելի լավ է, քան տրիոդը:

 

MOSFET-ի ուժեղացում

MOSFET և BJT տրիոդը, թեև երկուսն էլ կիսահաղորդչային ուժեղացուցիչ սարքն են, բայց ավելի շատ առավելություններ, քան եռյակը, ինչպիսիք են բարձր մուտքային դիմադրությունը, ազդանշանի աղբյուրը գրեթե չունի ընթացիկ, ինչը նպաստում է մուտքային ազդանշանի կայունությանը: Այն իդեալական սարք է որպես մուտքային փուլի ուժեղացուցիչ, ինչպես նաև ունի ցածր աղմուկի և ջերմաստիճանի լավ կայունության առավելությունները: Այն հաճախ օգտագործվում է որպես աուդիո ուժեղացման սխեմաների նախնական ուժեղացուցիչ: Այնուամենայնիվ, քանի որ դա լարման վերահսկվող հոսանքի սարք է, արտահոսքի հոսանքը վերահսկվում է դարպասի աղբյուրի միջև լարման միջոցով, ցածր հաճախականության հաղորդունակության ուժեղացման գործակիցը սովորաբար մեծ չէ, ուստի ուժեղացման հնարավորությունը վատ է:

 

MOSFET-ի անջատման էֆեկտ

MOSFET-ը օգտագործվում է որպես էլեկտրոնային անջատիչ, քանի որ հիմնվում է միայն պոլիոնի հաղորդունակության վրա, չկա այնպիսի BJT տրիոդ, որը պայմանավորված է բազային հոսանքի և լիցքավորման պահպանման էֆեկտով, ուստի MOSFET-ի միացման արագությունը ավելի արագ է, քան տրիոդը, որպես անջատիչ խողովակ: հաճախ օգտագործվում է բարձր հաճախականության բարձր հոսանքի առիթների համար, ինչպիսիք են աշխատանքի միացման սնուցման աղբյուրները, որոնք օգտագործվում են MOSFET-ում բարձր հաճախականության բարձր հոսանքի վիճակում: Համեմատած BJT տրիոդային անջատիչների հետ՝ MOSFET անջատիչները կարող են գործել ավելի փոքր լարման և հոսանքների դեպքում, և ավելի հեշտ է ինտեգրվել սիլիկոնային վաֆլիների վրա, ուստի դրանք լայնորեն օգտագործվում են լայնածավալ ինտեգրալ սխեմաներում:

Որոնք են նախազգուշական միջոցները օգտագործելիսMOSFET-ներ?

MOSFET-ներն ավելի նուրբ են, քան տրիոդները և կարող են հեշտությամբ վնասվել ոչ պատշաճ օգտագործման դեպքում, ուստի դրանք օգտագործելիս պետք է հատուկ զգուշություն ցուցաբերել:

(1) Անհրաժեշտ է ընտրել MOSFET-ի համապատասխան տեսակը տարբեր օգտագործման առիթների համար:

(2) MOSFET-ները, հատկապես մեկուսացված դարպասի MOSFET-ները, ունեն բարձր մուտքային դիմադրություն և պետք է կարճվեն յուրաքանչյուր էլեկտրոդի հետ, երբ դրանք չեն օգտագործվում, որպեսզի խուսափեն խողովակի վնասումից դարպասի ինդուկտիվ լիցքավորման պատճառով:

(3) Միացման MOSFET-ների դարպասի աղբյուրի լարումը չի կարող շրջվել, բայց կարող է պահպանվել բաց միացման վիճակում:

(4) MOSFET-ի բարձր մուտքային դիմադրությունը պահպանելու համար խողովակը պետք է պաշտպանված լինի խոնավությունից և չոր պահվի օգտագործման միջավայրում:

(5) Լիցքավորված առարկաները (օրինակ՝ զոդող երկաթը, փորձարկման գործիքները և այլն), որոնք շփվում են MOSFET-ի հետ, պետք է հողակցվեն՝ խողովակի վնասումից խուսափելու համար: Հատկապես մեկուսացված դարպասի MOSFET-ի եռակցման ժամանակ, ըստ աղբյուրի՝ դարպասի եռակցման հաջորդական կարգի, լավագույնն է եռակցումը անջատվելուց հետո: Զոդման երկաթի հզորությունը մինչև 15 ~ 30 Վտ տեղին է, եռակցման ժամանակը չպետք է գերազանցի 10 վայրկյանը:

(6) մեկուսացված դարպասի MOSFET-ը չի կարող փորձարկվել մուլտիմետրով, կարող է փորձարկվել միայն փորձարկիչով և միայն թեստավորողին մուտք գործելուց հետո հեռացնել էլեկտրոդների կարճ միացման լարերը: Երբ հեռացվում է, անհրաժեշտ է կարճ միացնել էլեկտրոդները հեռացնելուց առաջ, որպեսզի խուսափեն դարպասի ելուստից:

(7) ՕգտագործելիսMOSFET-ներենթաշերտի լարերի դեպքում ենթաշերտի լարերը պետք է պատշաճ կերպով միացված լինեն: