Որպես անջատիչ տարրեր, MOSFET-ը և IGBT-ը հաճախ հայտնվում են էլեկտրոնային սխեմաներում: Նրանք նման են նաև արտաքին տեսքով և բնութագրական պարամետրերով: Ես հավատում եմ, որ շատերը կզարմանան, թե ինչու որոշ սխեմաներ պետք է օգտագործեն MOSFET-ը, մինչդեռ մյուսները դա անում են: IGBT?
Ո՞րն է նրանց տարբերությունը: Հաջորդը,Օլուկեյկպատասխանի ձեր հարցերին!
Ինչ է աՄՈՍՖԵՏ?
MOSFET, լրիվ չինարեն անվանումն է մետաղ-օքսիդ կիսահաղորդչային դաշտային էֆեկտի տրանզիստոր: Քանի որ այս դաշտային ազդեցության տրանզիստորի դարպասը մեկուսացված է մեկուսիչ շերտով, այն նաև կոչվում է մեկուսացված դարպասի դաշտային ազդեցության տրանզիստոր: MOSFET-ը կարելի է բաժանել երկու տեսակի՝ «N-type» և «P-type»՝ ըստ իր «ալիքի» (աշխատանքային կրիչի) բևեռականության, սովորաբար կոչվում է նաև N MOSFET և P MOSFET:
MOSFET-ն ինքն ունի իր մակաբուծական դիոդը, որն օգտագործվում է կանխելու MOSFET-ի այրումը, երբ VDD-ն ավելորդ լարման է: Քանի որ մինչ գերլարումը վնասում է MOSFET-ին, դիոդը նախ հակառակը փչանում է և մեծ հոսանքն ուղղում գետնին, դրանով իսկ կանխելով MOSFET-ի այրումը:
Ի՞նչ է IGBT-ն:
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) բարդ կիսահաղորդչային սարք է, որը բաղկացած է տրանզիստորից և MOSFET-ից:
IGBT-ի շրջանային խորհրդանիշները դեռ միասնական չեն։ Սխեմատիկ դիագրամը գծելիս սովորաբար փոխառվում են տրիոդի և MOSFET-ի նշանները։ Այս պահին դուք կարող եք դատել, թե արդյոք դա IGBT է, թե MOSFET սխեմատիկ դիագրամի վրա նշված մոդելից:
Միևնույն ժամանակ, պետք է նաև ուշադրություն դարձնել, թե արդյոք IGBT-ն ունի մարմնի դիոդ: Եթե նկարի վրա նշված չէ, դա չի նշանակում, որ այն գոյություն չունի։ Եթե պաշտոնական տվյալները հատուկ այլ բան չեն ասում, այս դիոդը առկա է: IGBT-ի ներսում գտնվող մարմնի դիոդը մակաբուծական չէ, այլ հատուկ ստեղծվել է IGBT-ի փխրուն հակադարձ դիմադրողական լարմանը պաշտպանելու համար: Այն նաև կոչվում է FWD (freewheeling diode):
Երկուսի ներքին կառուցվածքը տարբեր է
MOSFET-ի երեք բևեռներն են աղբյուրը (S), արտահոսքը (D) և դարպասը (G):
IGBT-ի երեք բևեռներն են՝ կոլեկցիոներ (C), էմիտեր (E) և դարպաս (G):
IGBT-ը կառուցվում է MOSFET-ի արտահոսքի վրա լրացուցիչ շերտ ավելացնելով: Նրանց ներքին կառուցվածքը հետևյալն է.
Երկուսի կիրառման դաշտերը տարբեր են
MOSFET-ի և IGBT-ի ներքին կառուցվածքները տարբեր են, ինչը որոշում է դրանց կիրառման դաշտերը։
MOSFET-ի կառուցվածքի շնորհիվ այն սովորաբար կարող է հասնել մեծ հոսանքի, որը կարող է հասնել KA-ին, սակայն նախադրյալ լարման դիմակայելու հնարավորությունը այնքան էլ ուժեղ չէ, որքան IGBT-ն: Դրա հիմնական կիրառման ոլորտներն են անջատիչ սնուցման աղբյուրները, բալաստները, բարձր հաճախականության ինդուկցիոն ջեռուցումը, բարձր հաճախականության ինվերտորային եռակցման մեքենաները, կապի սնուցման աղբյուրները և բարձր հաճախականության էլեկտրամատակարարման այլ դաշտերը:
IGBT-ն կարող է արտադրել մեծ հզորություն, հոսանք և լարում, բայց հաճախականությունը շատ բարձր չէ: Ներկայումս IGBT-ի կոշտ անջատման արագությունը կարող է հասնել 100KHZ-ի: IGBT-ն լայնորեն օգտագործվում է եռակցման մեքենաների, ինվերտորների, հաճախականության փոխարկիչների, էլեկտրալվացման էլեկտրոլիտիկ սնուցման սարքերի, ուլտրաձայնային ինդուկցիոն ջեռուցման և այլ ոլորտներում:
MOSFET-ի և IGBT-ի հիմնական հատկանիշները
MOSFET-ն ունի բարձր մուտքային դիմադրության, արագ միացման արագության, լավ ջերմային կայունության, լարման վերահսկման հոսանքի և այլնի բնութագրերը: Շղթայում այն կարող է օգտագործվել որպես ուժեղացուցիչ, էլեկտրոնային անջատիչ և այլ նպատակներով:
Որպես էլեկտրոնային կիսահաղորդչային սարքի նոր տեսակ, IGBT-ն ունի բարձր մուտքային դիմադրության, ցածր լարման հսկողության էներգիայի սպառման, պարզ կառավարման միացման, բարձր լարման դիմադրության և մեծ հոսանքի հանդուրժողականության բնութագրերը և լայնորեն օգտագործվել է տարբեր էլեկտրոնային սխեմաներում:
IGBT-ի իդեալական համարժեք սխեման ներկայացված է ստորև բերված նկարում: IGBT-ն իրականում MOSFET-ի և տրանզիստորի համադրություն է: MOSFET-ը ունի բարձր դիմադրության թերություն, սակայն IGBT-ն հաղթահարում է այս թերությունը: IGBT-ն դեռևս ունի ցածր միացման դիմադրություն բարձր լարման ժամանակ: .
Ընդհանուր առմամբ, MOSFET-ի առավելությունն այն է, որ այն ունի լավ բարձր հաճախականության բնութագրեր և կարող է գործել հարյուրավոր կՀց և մինչև ՄՀց հաճախականությամբ: Թերությունն այն է, որ միացման դիմադրությունը մեծ է, իսկ էներգիայի սպառումը մեծ է բարձր լարման և բարձր հոսանքի իրավիճակներում: IGBT-ն լավ է աշխատում ցածր հաճախականության և բարձր էներգիայի իրավիճակներում, փոքր միացման դիմադրության և բարձր դիմադրության լարման դեպքում:
Ընտրեք MOSFET կամ IGBT
Շրջանակում ընտրել MOSFET-ը որպես հոսանքի անջատիչ խողովակ, թե IGBT, հարց է, որին ինժեներները հաճախ հանդիպում են: Եթե հաշվի առնվեն այնպիսի գործոններ, ինչպիսիք են համակարգի լարումը, հոսանքը և անջատիչ հզորությունը, կարելի է ամփոփել հետևյալ կետերը.
Մարդիկ հաճախ հարցնում են. «MOSFET-ը, թե IGBT-ն ավելի լավն է»: Իրականում այս երկուսի միջև լավ կամ վատ տարբերություն չկա: Ամենակարևորը դրա իրական կիրառումը տեսնելն է։
Եթե դեռ հարցեր ունեք MOSFET-ի և IGBT-ի միջև տարբերության վերաբերյալ, կարող եք կապվել Olukey-ի հետ մանրամասների համար:
Olukey-ն հիմնականում տարածում է WINSOK միջին և ցածր լարման MOSFET արտադրանքները: Արտադրանքները լայնորեն օգտագործվում են ռազմական արդյունաբերության մեջ, LED/LCD վարորդական վահանակներ, շարժիչի վարորդների տախտակներ, արագ լիցքավորում, էլեկտրոնային ծխախոտներ, LCD մոնիտորներ, սնուցման սարքեր, փոքր կենցաղային տեխնիկա, բժշկական ապրանքներ և Bluetooth արտադրանք: Էլեկտրոնային կշեռքներ, տրանսպորտային միջոցների էլեկտրոնիկա, ցանցային ապրանքներ, կենցաղային տեխնիկա, համակարգչային ծայրամասային սարքեր և տարբեր թվային ապրանքներ:
Հրապարակման ժամանակը՝ Dec-18-2023
