Տարբերությունը մարմնի դիոդի և MOSFET-ի միջև

Մարմնի դիոդ (որը հաճախ պարզապես կոչվում է սովորական դիոդ, որպես տերմին«մարմնի դիոդ»սովորաբար չի օգտագործվում սովորական համատեքստերում և կարող է վերաբերել հենց դիոդի բնութագրին կամ կառուցվածքին. Այնուամենայնիվ, այս նպատակով մենք ենթադրում ենք, որ դա վերաբերում է ստանդարտ դիոդին) և MOSFET-ը (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) էապես տարբերվում են մի քանի առումներով: Ստորև ներկայացված է դրանց տարբերությունների մանրամասն վերլուծությունը.

1. Հիմնական սահմանումներ և կառուցվածքներ

- Դիոդ. Դիոդը երկու էլեկտրոդներով կիսահաղորդչային սարք է, որը կազմված է P և N տիպի կիսահաղորդիչներից, որոնք կազմում են PN հանգույց: Այն թույլ է տալիս միայն հոսանք հոսել դրականից դեպի բացասական կողմ (առաջ կողմնակալություն)՝ միաժամանակ արգելափակելով հակառակ հոսքը (հակադարձ կողմնակալություն):

- MOSFET. MOSFET-ը երեք տերմինալ կիսահաղորդչային սարք է, որն օգտագործում է էլեկտրական դաշտի էֆեկտը հոսանքը կառավարելու համար: Այն բաղկացած է դարպասից (G), աղբյուրից (S) և արտահոսքից (D): Աղբյուրի և արտահոսքի միջև հոսանքը վերահսկվում է դարպասի լարման միջոցով:

2. Աշխատանքային սկզբունք

- Դիոդ. Դիոդի աշխատանքի սկզբունքը հիմնված է PN հանգույցի միակողմանի հաղորդունակության վրա: Առջևի կողմնակալության դեպքում կրիչները (անցքեր և էլեկտրոններ) ցրվում են PN հանգույցի միջով` ձևավորելով հոսանք; հակառակ կողմնակալության դեպքում ստեղծվում է պոտենցիալ խոչընդոտ, որը կանխում է ընթացիկ հոսքը:

- MOSFET. MOSFET-ի աշխատանքի սկզբունքը հիմնված է էլեկտրական դաշտի էֆեկտի վրա: Երբ դարպասի լարումը փոխվում է, այն ձևավորում է հաղորդիչ ալիք (N-ալիք կամ P-ալիք) դարպասի տակ գտնվող կիսահաղորդչի մակերեսին, որը վերահսկում է աղբյուրի և արտահոսքի հոսանքը: MOSFET-ները լարման կառավարվող սարքեր են, որոնց ելքային հոսանքը կախված է մուտքային լարումից:

3. Կատարողական բնութագրեր

- Դիոդ:

- Հարմար է բարձր հաճախականության և ցածր էներգիայի ծրագրերի համար:

- Ունի միակողմանի հաղորդունակություն, ինչը այն դարձնում է առանցքային բաղադրիչ ուղղման, հայտնաբերման և լարման կարգավորման սխեմաներում:

- Հակադարձ վթարի լարումը կարևոր պարամետր է և պետք է հաշվի առնել նախագծման ժամանակ՝ հակադարձ խափանման խնդիրներից խուսափելու համար:

- MOSFET:

- Ունի բարձր մուտքային դիմադրություն, ցածր աղմուկ, ցածր էներգիայի սպառում և լավ ջերմային կայունություն:

- Հարմար է լայնածավալ ինտեգրալ սխեմաների և ուժային էլեկտրոնիկայի համար:

- MOSFET-ները բաժանվում են N-ալիքների և P-ալիքների տեսակների, որոնցից յուրաքանչյուրը գալիս է ընդլայնման և սպառման ռեժիմների տեսակներով:

- Ցուցադրում է լավ հաստատուն հոսանքի բնութագրեր, ընդ որում հոսանքը մնում է գրեթե հաստատուն հագեցվածության շրջանում:

4. Կիրառման դաշտեր

- Դիոդ. Լայնորեն օգտագործվում է էլեկտրոնիկայի, կապի և էլեկտրամատակարարման ոլորտներում, ինչպիսիք են ուղղիչ սխեմաներում, լարման կարգավորման սխեմաներում և հայտնաբերման սխեմաներում:

- MOSFET. վճռորոշ դեր է խաղում ինտեգրալ սխեմաների, էներգիայի էլեկտրոնիկայի, համակարգիչների և հաղորդակցության մեջ, որոնք օգտագործվում են որպես անջատիչ տարրեր, ուժեղացման տարրեր և շարժիչ տարրեր:

5. Եզրակացություն

Դիոդները և MOSFET-ները տարբերվում են իրենց հիմնական սահմանումներով, կառուցվածքով, աշխատանքի սկզբունքներով, կատարողական բնութագրերով և կիրառական դաշտերով: Դիոդները առանցքային դեր են խաղում ուղղման և լարման կարգավորման մեջ՝ իրենց միակողմանի հաղորդունակության շնորհիվ, մինչդեռ MOSFET-ները լայնորեն օգտագործվում են ինտեգրալ սխեմաներում և էլեկտրաէներգիայի էլեկտրոնիկայի մեջ՝ իրենց բարձր մուտքային դիմադրության, ցածր աղմուկի և ցածր էներգիայի սպառման պատճառով: Երկու բաղադրիչներն էլ հիմնարար են ժամանակակից էլեկտրոնային տեխնոլոգիաների համար, որոնցից յուրաքանչյուրն առաջարկում է իր առավելությունները: