MOSFET-ների երեք հիմնական դերերը

MOSFET-ը սովորաբար օգտագործվում է երեք հիմնական դերերից՝ ուժեղացման սխեմաները, մշտական ​​հոսանքի ելքը և անջատման հաղորդունակությունը:

1, ուժեղացման միացում

MOSFET-ն ունի բարձր մուտքային դիմադրություն, ցածր աղմուկ և այլ բնութագրեր, հետևաբար, այն սովորաբար օգտագործվում է որպես ընթացիկ մուտքային փուլի բազմաստիճան ուժեղացում, ինչպես տրանզիստորի դեպքում, ըստ ընտրության ընդհանուր ծայրի մուտքային և ելքային սխեմաների: տարբեր, կարելի է բաժանել երեք վիճակների բեռնաթափման շրջանիՄՈՍՖԵՏ, համապատասխանաբար, ընդհանուր աղբյուրը, հանրային արտահոսքը և ընդհանուր դարպասը: Հետևյալ նկարը ցույց է տալիս MOSFET-ի ընդհանուր աղբյուրի ուժեղացման սխեման, որում Rg-ը դարպասի դիմադրությունն է, Rs լարման անկումը ավելացվում է դարպասին. Rd-ը արտահոսքի դիմադրությունն է, արտահոսքի հոսանքը փոխակերպվում է արտահոսքի լարման՝ ազդելով ուժեղացման բազմապատկիչ Au-ի վրա; Rs-ը աղբյուրի դիմադրությունն է, որն ապահովում է շեղման լարումը դարպասի համար; C3-ը շրջանցող կոնդենսատոր է, որը վերացնում է AC ազդանշանի թուլացումը Rs-ով:

2, ընթացիկ աղբյուրի միացում

Մշտական ​​հոսանքի աղբյուրը լայնորեն օգտագործվում է չափագիտական ​​փորձարկումներում, ինչպես ցույց է տրված ստորև նկարում, այն հիմնականում բաղկացած է.ՄՈՍՖԵՏմշտական ​​հոսանքի աղբյուրի միացում, որը կարող է օգտագործվել որպես մագնիսաէլեկտրական հաշվիչի թյունինգի սանդղակի գործընթաց: Քանի որ MOSFET-ը լարման տիպի կառավարման սարք է, դրա դարպասը գրեթե հոսանք չի ընդունում, մուտքային դիմադրությունը շատ բարձր է: Եթե ​​ճշգրտությունը բարելավելու համար անհրաժեշտ է մեծ մշտական ​​հոսանքի ելք, ապա կարող է օգտագործվել հղման աղբյուրի և համեմատիչի համադրությունը ցանկալի էֆեկտ ստանալու համար:

3, միացման սխեման

MOSFET-ի ամենակարևոր դերը անջատիչ դերն է: Անջատում, տարբեր էլեկտրոնային բեռի կառավարում, անջատիչ էլեկտրամատակարարման միացում և այլն: MOS խողովակի ամենակարևոր առանձնահատկությունը լավի միացման բնութագրերն են.NMOS, Vgs-ն ավելի մեծ է, քան որոշակի արժեք կանցկացնի, որը կիրառելի է հիմնավորված աղբյուրի դեպքում, այսինքն՝ այսպես կոչված ցածրակարգ շարժիչի դեպքում, քանի դեռ դարպասի լարումը կարող է լինել 4V կամ 10V: Մյուս կողմից, PMOS-ի համար Vgs-ը կանցնի որոշակի արժեքից փոքր, ինչը վերաբերում է այն դեպքին, երբ աղբյուրը հիմնավորված է VCC-ի վրա, այսինքն՝ բարձրակարգ սկավառակի վրա: Թեև PMOS-ը հեշտությամբ կարող է օգտագործվել որպես բարձրակարգ դրայվեր, NMOS-ը սովորաբար օգտագործվում է բարձրակարգ դրայվերներում՝ բարձր միացման դիմադրության, բարձր գնի և փոխարինման քիչ տեսակների պատճառով:

Ի լրումն վերը նշված երեք հիմնական դերերի, MOSFET-ները կարող են օգտագործվել նաև որպես փոփոխական դիմադրություններ՝ լարման կառավարվող ռեզիստորներ իրականացնելու համար, ինչպես նաև ունեն բազմաթիվ կիրառություններ: