Հասկացեք MOSFET-ի աշխատանքի սկզբունքը և ավելի արդյունավետ կիրառեք էլեկտրոնային բաղադրիչները

MOSFET-ների (Մետաղ-օքսիդ-Կիսահաղորդչային դաշտային ազդեցության տրանզիստորների) գործառնական սկզբունքները հասկանալը կարևոր է բարձր արդյունավետ էլեկտրոնային բաղադրիչներն արդյունավետ օգտագործելու համար: MOSFET-ները էլեկտրոնային սարքերի անփոխարինելի տարրեր են, և դրանց ընկալումը կարևոր է արտադրողների համար:

Գործնականում կան արտադրողներ, որոնք կարող են լիովին չգնահատել MOSFET-ների հատուկ գործառույթները դրանց կիրառման ընթացքում: Այնուամենայնիվ, ըմբռնելով էլեկտրոնային սարքերում MOSFET-ների աշխատանքի սկզբունքները և դրանց համապատասխան դերերը, կարելի է ռազմավարական առումով ընտրել ամենահարմար MOSFET-ը՝ հաշվի առնելով դրա եզակի առանձնահատկությունները և արտադրանքի հատուկ գծերը: Այս մեթոդը բարձրացնում է արտադրանքի արդյունավետությունը՝ խթանելով դրա մրցունակությունը շուկայում:

WINSOK SOT-23-3 փաթեթ MOSFET

MOSFET-ի աշխատանքային սկզբունքները

Երբ MOSFET-ի դարպաս-աղբյուրի լարումը (VGS) զրոյական է, նույնիսկ արտահոսքի աղբյուրի լարման (VDS) կիրառման դեպքում, միշտ կա PN միացում հակառակ կողմնակալության մեջ, ինչը հանգեցնում է հաղորդիչ ալիքի (և հոսանքի) միջև: MOSFET-ի արտահոսքը և աղբյուրը: Այս վիճակում MOSFET-ի արտահոսքի հոսանքը (ID) զրո է: Դարպասի և աղբյուրի միջև դրական լարման կիրառումը (VGS > 0) ստեղծում է էլեկտրական դաշտ SiO2 մեկուսիչ շերտում MOSFET-ի դարպասի և սիլիկոնային հիմքի միջև, որն ուղղված է դարպասից դեպի P տիպի սիլիկոնային ենթաշերտը: Հաշվի առնելով, որ օքսիդի շերտը մեկուսիչ է, դարպասի վրա կիրառվող լարումը, VGS-ը, չի կարող հոսանք առաջացնել MOSFET-ում: Փոխարենը, այն կազմում է կոնդենսատոր օքսիդի շերտի վրա:

Երբ VGS-ն աստիճանաբար մեծանում է, կոնդենսատորը լիցքավորվում է՝ ստեղծելով էլեկտրական դաշտ: Դարպասի դրական լարման շնորհիվ բազմաթիվ էլեկտրոններ կուտակվում են կոնդենսատորի մյուս կողմում՝ ձևավորելով N տիպի հաղորդիչ ալիք՝ արտահոսքից մինչև MOSFET-ի աղբյուրը: Երբ VGS-ը գերազանցում է VT լարման շեմը (սովորաբար մոտ 2 Վ), MOSFET-ի N-ալիքը վարում է, սկսելով արտահոսքի հոսանքի ID-ի հոսքը: Դարպասի աղբյուրի լարումը, որով ալիքը սկսում է ձևավորվել, կոչվում է շեմային լարման VT: Վերահսկելով VGS-ի մեծությունը և, հետևաբար, էլեկտրական դաշտը, MOSFET-ում արտահոսքի հոսանքի ID-ի չափը կարող է մոդուլացվել:

WINSOK DFN5x6-8 փաթեթ MOSFET

MOSFET հավելվածներ

MOSFET-ը հայտնի է իր հիանալի անջատիչ բնութագրերով, ինչը հանգեցնում է դրա լայն կիրառմանը էլեկտրոնային անջատիչներ պահանջող սխեմաներում, ինչպիսիք են անջատիչ ռեժիմի սնուցման աղբյուրները: Ցածր լարման կիրառություններում, օգտագործելով 5 Վ սնուցման աղբյուր, ավանդական կառույցների օգտագործումը հանգեցնում է երկբևեռ հանգույցի տրանզիստորի բազային թողարկիչի վրա լարման անկման (մոտ 0,7 Վ)՝ թողնելով միայն 4,3 Վ դարպասի վրա կիրառվող վերջնական լարման համար: ՄՈՍՖԵՏ-ը։ Նման սցենարներում MOSFET-ի ընտրությունը 4,5 Վ անվանական դարպասի լարմամբ առաջացնում է որոշակի ռիսկեր: Այս մարտահրավերը դրսևորվում է նաև 3 Վ լարման կամ այլ ցածր լարման սնուցման սարքերի հետ կապված ծրագրերում: