Որո՞նք են տարբերությունները MOSFET-ների և տրիոդների միջև, երբ օգտագործվում են որպես անջատիչներ:

MOSFET-ը և Triode-ը շատ տարածված էլեկտրոնային բաղադրիչներ են, երկուսն էլ կարող են օգտագործվել որպես էլեկտրոնային անջատիչներ, բայց նաև շատ դեպքերում անջատիչների օգտագործումը փոխանակելու համար, որպես օգտագործման անջատիչ,ՄՈՍՖԵՏև Triode-ը շատ նմանություններ ունեն, կան նաև տարբեր տեղեր, այնպես որ երկուսը պետք է լինեն ինչպես ընտրել:

Տրիոդն ունի NPN տիպ և PNP տիպ: MOSFET-ն ունի նաև N-ալիք և P-ալիք: MOSFET-ի երեք պիններն են դարպասը G-ը, արտահոսքը D-ն և աղբյուրը S-ը, իսկ Տրիոդի երեք պիններն են՝ հիմք B, կոլեկտոր C և հաղորդիչ E: Որո՞նք են տարբերությունները MOSFET-ի և Triode-ի միջև:

N-MOSFET և NPN տրիոդը օգտագործվում է որպես անջատման սկզբունք

(1) Կառավարման տարբեր ռեժիմ

Տրիոդը հոսանքի տիպի հսկիչ բաղադրիչ է, իսկ MOSFET-ը լարման կարգավորիչ բաղադրիչ է, հսկիչ կողմի մուտքային լարման պահանջների վրա տրիոդը համեմատաբար ցածր է, սովորաբար 0,4 Վ-ից մինչև 0,6 Վ կամ ավելի կարող է իրականացվել Տրիոդը՝ փոխելով բազային սահմանը: ընթացիկ ռեզիստորը կարող է փոխել բազային հոսանքը: MOSFET-ը վերահսկվում է լարման միջոցով, հաղորդման համար պահանջվող լարումը սովորաբար կազմում է մոտ 4 Վ-ից մինչև 10 Վ, իսկ երբ հագեցվածությունը հասնում է, պահանջվող լարումը կազմում է մոտ 6 Վ-ից մինչև 10 Վ: Ավելի ցածր լարման դեպքերի վերահսկման ժամանակ Triode-ի ընդհանուր օգտագործումը որպես անջատիչ կամ Triode-ը որպես բուֆերային կառավարման MOSFET-ը, ինչպիսիք են միկրոկոնտրոլերները, DSP, PowerPC և այլ պրոցեսորներ, I/O պորտի լարումը համեմատաբար ցածր է, ընդամենը 3.3V կամ 2.5V: , ընդհանուր առմամբ ուղղակիորեն չի վերահսկիՄՈՍՖԵՏ, ցածր լարումը, MOSFET-ը չի կարող լինել մեծ ներքին սպառման հաղորդունակություն կամ ներքին դիմադրություն: Այս դեպքում սովորաբար օգտագործվում է Triode կառավարումը:

(2) Տարբեր մուտքային դիմադրություն

Տրիոդի մուտքային դիմադրությունը փոքր է, MOSFET-ի մուտքային դիմադրությունը մեծ է, հանգույցի հզորությունը տարբեր է, Տրիոդի միացման հզորությունը ավելի մեծ է, քան MOSFET-ը, համապատասխանաբար, գործողությունը MOSFET-ի վրա ավելի արագ է, քան Տրիոդը;ՄՈՍՖԵՏկայունության մեջ ավելի լավն է, բազմահաղորդիչ է, փոքր աղմուկը, ջերմային կայունությունը ավելի լավ է:

MOSFET-ի ներքին դիմադրությունը շատ փոքր է, իսկ Triode-ի միացված լարման անկումը գրեթե հաստատուն է, փոքր հոսանքի դեպքերում սովորաբար օգտագործեք Triode և օգտագործեք MOSFET նույնիսկ եթե ներքին դիմադրությունը շատ փոքր է, բայց հոսանքը մեծ է, լարման անկումը նույնպես շատ մեծ.