Ինչու՞ է միշտ դժվար փորձարկել բարձր հզորության MOSFET-ի օգտագործումը և փոխարինումը մուլտիմետրով:

Բարձր հզորության MOSFET-ի մասին եղել է այն ինժեներներից մեկը, ովքեր ցանկանում են քննարկել թեման, ուստի մենք կազմակերպել ենք ընդհանուր և ոչ սովորական գիտելիքները.ՄՈՍՖԵՏ, հուսով եմ օգնել ինժեներներին: Եկեք խոսենք MOSFET-ի մասին, որը շատ կարևոր բաղադրիչ է:

Հակաստատիկ պաշտպանություն

Բարձր հզորության MOSFET-ը մեկուսացված դարպասի դաշտային էֆեկտի խողովակ է, դարպասը ուղղակի հոսանքի միացում չունի, մուտքային դիմադրությունը չափազանց բարձր է, շատ հեշտ է առաջացնել ստատիկ լիցքի ագրեգացիա, ինչի արդյունքում բարձր լարումը կլինի դարպասը և աղբյուրը: մեկուսիչ շերտը քայքայման միջև:

MOSFET-ների վաղ արտադրության մեծ մասը չունի հակաստատիկ միջոցներ, ուստի շատ զգույշ եղեք պահպանման և կիրառման ժամանակ, հատկապես փոքր հզորության MOSFET-ների, քանի որ ավելի փոքր հզորության MOSFET-ի մուտքային հզորությունը համեմատաբար փոքր է, երբ ստատիկ էլեկտրականության ազդեցության տակ առաջանում է ավելի բարձր լարում, որը հեշտությամբ առաջանում է էլեկտրաստատիկ խզման հետևանքով:

Բարձր հզորության MOSFET-ի վերջին բարելավումը համեմատաբար մեծ տարբերություն է, առաջին հերթին, քանի որ ավելի մեծ մուտքային հզորության ֆունկցիան նույնպես ավելի մեծ է, այնպես որ ստատիկ էլեկտրաէներգիայի հետ շփումը լիցքավորման գործընթաց է ունենում, ինչը հանգեցնում է ավելի փոքր լարման՝ առաջացնելով խափանում: Ներքին դարպասում ավելի փոքր, և այնուհետև այժմ բարձր հզորության MOSFET-ի հնարավորության մասին և պաշտպանված կարգավորիչի դարպասի աղբյուրի և աղբյուրի մասին DZ, ստատիկ ներկառուցված պաշտպանության կարգավորիչի դիոդի լարման կարգավորիչի արժեքը Ստորև, արդյունավետորեն պաշտպանում է մեկուսիչ շերտի դարպասը և աղբյուրը, տարբեր հզորություն, տարբեր մոդելներ MOSFET պաշտպանության կարգավորիչի դիոդի լարման կարգավորիչի արժեքը տարբեր է:

Չնայած բարձր հզորության MOSFET-ի ներքին պաշտպանության միջոցներին, մենք պետք է գործենք հակաստատիկ գործառնական ընթացակարգերի համաձայն, ինչը պետք է ունենա սպասարկման որակյալ անձնակազմը:

Հայտնաբերում և փոխարինում

Հեռուստացույցների և էլեկտրական սարքավորումների վերանորոգման ժամանակ կհանդիպեն մի շարք բաղադրիչների վնասման,ՄՈՍՖԵՏնրանց թվում է նաև, ինչը մեր սպասարկող անձնակազմն օգտագործում է սովորաբար օգտագործվող մուլտիմետրը՝ որոշելու լավ և վատ, լավ և վատ MOSFET-ը: MOSFET-ի փոխարինման դեպքում, եթե չկա նույն արտադրողը և նույն մոդելը, ինչպես փոխարինել խնդիրը:

1, բարձր հզորության MOSFET թեստ.

Որպես ընդհանուր էլեկտրական հեռուստացույց վերանորոգող անձնակազմ բյուրեղյա տրանզիստորների կամ դիոդների չափման մեջ, սովորաբար օգտագործելով սովորական մուլտիմետր՝ լավ և վատ տրանզիստորները կամ դիոդները որոշելու համար, չնայած տրանզիստորի կամ դիոդի էլեկտրական պարամետրերի դատողությունը չի կարող հաստատվել, բայց քանի դեռ մեթոդը ճիշտ է բյուրեղյա տրանզիստորների «լավ» և «վատ» կամ «վատ» հաստատման համար բյուրեղյա տրանզիստորների հաստատման համար: «Վատ» կամ խնդիր չկա: Նմանապես, MOSFET-ը նույնպես կարող է լինել

Կիրառել մուլտիմետրը, որպեսզի որոշի դրա «լավն» ու «վատը», ընդհանուր սպասարկումից, կարող է նաև բավարարել կարիքները:

Հայտնաբերումը պետք է օգտագործի ցուցիչի տիպի մուլտիմետր (թվային հաշվիչը հարմար չէ կիսահաղորդչային սարքերը չափելու համար): Էլեկտրաէներգիայի տիպի MOSFET անջատիչ խողովակների համար N-ալիքի ուժեղացումն է, արտադրողների արտադրանքները գրեթե բոլորն օգտագործում են նույն TO-220F փաթեթի ձևը (վերաբերում է միացման էլեկտրամատակարարմանը դաշտային էֆեկտի անջատիչ խողովակի 50-200 Վտ հզորության համար): , երեք էլեկտրոդների դասավորությունը նույնպես համահունչ է, այսինքն, երեքը

Կցեք ցած, տպեք մոդելը դեմքով դեպի կողմը, ձախ քորոցը դարպասի համար, աջ փորձնական քորոցը աղբյուրի համար, միջին քորոցը՝ արտահոսքի համար:

(1) մուլտիմետր և հարակից պատրաստուկներ.

Նախևառաջ, նախքան չափումը պետք է կարողանա օգտագործել մուլտիմետրը, հատկապես օհմ հանդերձանքի կիրառումը, հասկանալու համար, որ օհմ բլոկը կլինի օհմ բլոկի ճիշտ կիրառումը բյուրեղյա տրանզիստորը և չափելու համար:ՄՈՍՖԵՏ.

Մուլտիմետր օհմ բլոկով օհմ կենտրոնական սանդղակը չի կարող չափազանց մեծ լինել, ցանկալի է 12 Ω-ից պակաս (500 տիպի աղյուսակ 12 Ω-ի համար), այնպես որ R × 1 բլոկում կարող է ունենալ ավելի մեծ հոսանք՝ առաջի PN միացման համար: դատողության բնութագրերն ավելի ճշգրիտ են: Multimeter R × 10K բլոկի ներքին մարտկոցը լավագույնս ավելի մեծ է, քան 9V, այնպես որ PN հանգույցը չափելիս հակադարձ արտահոսքի հոսանքը ավելի ճշգրիտ է, հակառակ դեպքում արտահոսքը հնարավոր չէ չափել:

Այժմ արտադրական գործընթացի առաջընթացի պատճառով գործարանային զննում, փորձարկումը շատ խիստ է, մենք ընդհանուր առմամբ դատում ենք, քանի դեռ MOSFET-ի դատողությունը չի արտահոսում, չի ճեղքում կարճ միացումը, ներքին չշրջանցումը, կարող է լինել: ճանապարհին ուժեղացված մեթոդը չափազանց պարզ է.

Օգտագործելով մուլտիմետր R × 10K բլոկ; R × 10K բլոկի ներքին մարտկոցը սովորաբար 9V է գումարած 1,5 Վ-ից մինչև 10,5 Վ, այս լարումը, ընդհանուր առմամբ, գնահատվում է որպես բավարար PN հանգույցի ինվերսիայի արտահոսք, մուլտիմետրի կարմիր գրիչը բացասական պոտենցիալ է (միացված է ներքին մարտկոցի բացասական տերմինալին), Մուլտիմետրի սև գրիչը դրական պոտենցիալ է (միացված է ներքին մարտկոցի դրական տերմինալին):

(2) Փորձարկման ընթացակարգ.

Կարմիր գրիչը միացրեք MOSFET S-ի աղբյուրին; միացրեք սև գրիչը MOSFET D-ի արտահոսքի հետ: Այս պահին ասեղի ցուցիչը պետք է լինի անսահման: Եթե ​​կա օմիկ ինդեքս, որը ցույց է տալիս, որ փորձարկվող խողովակն ունի արտահոսքի երևույթ, ապա այս խողովակը չի կարող օգտագործվել:

Պահպանել վերը նշված վիճակը; այս պահին 100K ~ 200K ռեզիստորով, որը միացված է դարպասին և արտահոսքին; այս պահին ասեղը պետք է ցույց տա ohms-ի քանակը, որքան փոքր է, այնքան լավ, ընդհանուր առմամբ կարելի է նշել 0 ohms, այս անգամ դա դրական լիցք է MOSFET-ի դարպասի լիցքավորման 100K ռեզիստորի միջոցով, ինչը հանգեցնում է դարպասի էլեկտրական դաշտի, որի պատճառով: էլեկտրական դաշտը, որն առաջանում է հաղորդիչ ալիքի կողմից, որը հանգեցնում է արտահոսքի և աղբյուրի հաղորդմանը, ուստի ասեղի մուլտիմետրի շեղումը, շեղման անկյունը մեծ է (Օհմի ինդեքսը փոքր է) ապացուցելու համար, որ լիցքաթափման կատարումը լավ է:

Եվ հետո միացված է դիմադրության հեռացմանը, ապա մուլտիմետրի ցուցիչը դեռ պետք է լինի MOSFET-ը ինդեքսի վրա մնում է անփոփոխ: Թեև ռեզիստորը պետք է խլել, բայց քանի որ լիցքավորմամբ լիցքավորված դարպասի դիմադրությունը չի անհետանում, դարպասի էլեկտրական դաշտը շարունակում է պահպանել ներքին հաղորդիչ ալիքը դեռ պահպանվում է, ինչը մեկուսացված դարպասի տիպի MOSFET-ի բնութագրիչն է:

Եթե ​​ռեզիստորը խլել ասեղը կամաց-կամաց և աստիճանաբար կվերադառնա բարձր դիմադրության կամ նույնիսկ կվերադառնա անսահմանության, հաշվի առնենք, որ չափված խողովակի դարպասի արտահոսքը:

Այս պահին մետաղալարով, որը միացված է փորձարկվող խողովակի դարպասին և աղբյուրին, մուլտիմետրի ցուցիչը անմիջապես վերադարձավ դեպի անսահմանություն: Լարի միացումն այնպես, որ չափված MOSFET-ը, դարպասի լիցքի ազատումը, ներքին էլեկտրական դաշտը անհետանա. հաղորդիչ ալիքը նույնպես անհետանում է, ուստի դիմադրության միջև արտահոսքը և աղբյուրը դառնում են անսահման:

2, բարձր հզորության MOSFET-ի փոխարինում

Հեռուստացույցների և բոլոր տեսակի էլեկտրական սարքավորումների վերանորոգման ժամանակ բաղադրիչի վնասմանը հանդիպելը պետք է փոխարինվի նույն տեսակի բաղադրիչներով: Այնուամենայնիվ, երբեմն նույն բաղադրիչները ձեռքի տակ չեն, անհրաժեշտ է օգտագործել փոխարինման այլ տեսակներ, այնպես որ մենք պետք է հաշվի առնենք կատարման բոլոր ասպեկտները, պարամետրերը, չափերը և այլն, ինչպիսիք են հեռուստատեսությունը գծի ելքային խողովակի ներսում, ինչպես քանի դեռ լարման, հոսանքի, հզորության նկատառումը կարող է ընդհանուր առմամբ փոխարինվել (գծի ելքային խողովակը արտաքին տեսքի գրեթե նույն չափերն է), և հզորությունը հակված է լինել ավելի մեծ և ավելի լավ:

MOSFET-ի փոխարինման համար, չնայած նաև այս սկզբունքին, լավագույնը լավագույնն է նախատիպը, մասնավորապես, մի ​​ձգտեք, որ հզորությունը լինի ավելի մեծ, քանի որ հզորությունը մեծ է. մուտքային հզորությունը մեծ է, փոխված և գրգռման սխեմաները չեն համապատասխանում դիմադրության արժեքի չափի ոռոգման շղթայի լիցքավորման հոսանքը սահմանափակող դիմադրության գրգռմանը և MOSFET-ի մուտքային հզորությունը կապված է մեծ հզորության ընտրության հետ, չնայած հզորությունը մեծ է, բայց մուտքային հզորությունը նույնպես մեծ է, և մուտքային հզորությունը նույնպես մեծ է, և հզորությունը մեծ չէ:

Մուտքային հզորությունը նույնպես մեծ է, գրգռման սխեման լավ չէ, ինչն իր հերթին կվատթարացնի MOSFET-ի միացումը և անջատումը: Ցույց է տալիս MOSFET-ների տարբեր մոդելների փոխարինումը` հաշվի առնելով այս պարամետրի մուտքային հզորությունը:

Օրինակ, 42 դյույմանոց LCD հեռուստացույցի հետևի լույսի բարձրավոլտ տախտակի վնաս կա, ներքին բարձր հզորության MOSFET-ի վնասը ստուգելուց հետո, քանի որ փոխարինման նախատիպի համարը չկա, լարման, հոսանքի, հզորության ընտրությունը ոչ պակաս է, քան ՄՈՍՖԵՏ-ի սկզբնական փոխարինումը, արդյունքն այն է, որ հետևի լույսի խողովակը կարծես շարունակական թարթում է (գործարկման դժվարություններ), և վերջապես փոխարինվում է նույն տեսակի բնօրինակով՝ խնդիրը լուծելու համար:

Բարձր հզորության MOSFET-ի հայտնաբերված վնասը, պերֆուզիոն շղթայի դրա ծայրամասային բաղադրիչների փոխարինումը նույնպես պետք է փոխարինվի, քանի որ MOSFET-ի վնասը կարող է լինել նաև MOSFET-ի վնասման հետևանքով առաջացած վատ պերֆուզիայի շղթայի բաղադրիչները: Նույնիսկ եթե MOSFET-ը ինքնին վնասված է, այն պահին, երբ MOSFET-ը փչանում է, պերֆուզիայի շղթայի բաղադրիչները նույնպես վնասված են և պետք է փոխարինվեն:

Ճիշտ այնպես, ինչպես մենք ունենք շատ խելացի վերանորոգման վարպետ A3 անջատիչ էլեկտրամատակարարման վերանորոգման գործում; քանի դեռ պարզվում է, որ անջատիչ խողովակը փչանում է, այն նաև 2SC3807 գրգռման խողովակի առջևն է՝ փոխարինելով նույն պատճառով (չնայած մուլտիմետրով չափված 2SC3807 խողովակը լավ է):